公开(公告)号：CN115369484A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202111318030.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  张志斌 ,  王恩哥

IPC: C30B27/00 ,  C30B29/02

Abstract: 本公开一种渗透生长碳膜的方法，包括如下步骤：S1，提供箔，所述箔选自镍箔或铜镍合金箔并且具有第一表面和第二表面；S2，选用所述箔作为衬底，将其放置于固态碳源上，其中，所述箔的第一表面靠近所述固态碳源，所述箔的第二表面远离所述固态碳源，然后加热箔和固态碳源使得在所述箔的第二表面上渗透生长出碳膜。

公开(公告)号：CN111690982B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910179967.3

申请日：2019-03-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  张志斌 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。

公开(公告)号：CN116641038A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310315945.1

申请日：2023-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  赵孟泽 ,  张志斌 ,  何梦林 ,  王恩哥

IPC: C23C16/26 ,  C23F11/18 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56

Abstract: 本申请提供一种防止金属铜腐蚀的方法、金属铜防腐蚀结构，属于金属防腐技术领域。防止金属铜腐蚀的方法包括在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层。本申请的防止金属铜腐蚀的方法通过在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层，能够减弱腐蚀性物质和铜基体之间的电荷转移，使得铜基体不容易通过表面的石墨烯层发生电化学反应，从而提升铜基体的防腐性能。

公开(公告)号：CN111690983B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910179992.1

申请日：2019-03-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  吴慕鸿 ,  张志斌 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/02 ,  C30B29/64 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。

公开(公告)号：CN110295357B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810233438.2

申请日：2018-03-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴慕鸿 ,  张志斌 ,  徐小志 ,  张智宏 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23C14/06 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。

公开(公告)号：CN111621846A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201910144704.9

申请日：2019-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  张志斌 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/02 ,  C30B1/02 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。