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公开(公告)号：CN102590314B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210039855.6
申请日：2012-02-20
IPC: G01N27/403
CPC classification number: C12Q1/6869 , G01N33/48721 , C12Q2523/303 , C12Q2527/109 , C12Q2565/631
Abstract: 本发明公开了一种纳米孔测序法中降低核酸分子穿孔速度的方法。该方法，包括下述步骤：将待测的核酸分子加入到盛有电解液的纳米孔测序装置中，所述纳米孔测序装置包括：设有正极和负极的电解池、以及分隔所述电解池正极和负极的固态纳米孔薄膜，所述待测的核酸分子置于所述电解池的负极腔室，测定时在正极和负极间施加电压，同时引入一个压强外场作为电场的反向外场。该方法在外加电场驱动下，通过反向施加压强外场作用，可以使DNA分子在通过固态纳米孔时的速度有效降低，实现约50～80％的减速，从而大大提高了DNA单分子探测技术的时间分辨率。在固态纳米孔DNA分子测序器件方向有着非常光明的应用前景。
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公开(公告)号：CN103172061A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310130476.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上生长大面积石墨烯的方法。该方法以绝缘材料作为生长基底，以铜箔为催化剂，以碳源、氢气和保护气体为气源，采用两步法(低压生长和高压生长)的化学气相沉积方法，通过绝缘衬底和铜箔的面对面接触，利用铜箔的近程催化效应在绝缘衬底上长出大面积的石墨烯。本发明方法的整个过程操作简单，成本低廉，样品制备重复性很高，受外界干扰小。所制备的单层石墨烯不需要繁琐的转移工艺就能利用曝光法做成大规模的电路器件。
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公开(公告)号：CN102041547B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010602359.8
申请日：2010-12-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种制备磷掺杂氧化锌纳米线的方法，该方法包括如下步骤：1)将磷酸锌粉末放在瓷舟中，镀有金膜的衬底放在磷酸锌粉末的正上方或者两侧当做收集纳米线的衬底；2)将瓷舟推入石英套管中，再将石英管放入管式炉的中央，排出管内的空气，然后将氩气流量设定为100～200sccm作为载气；4)将管式炉升温至950℃-1100℃，升温时间设为20分钟到30分钟，在炉温达到设定温度时，向管式炉中通入2sccm-3sccm的氧气；5)在设定温度保温1-30分钟，然后让管式炉自然降至室温，待炉温降至室温后，关闭管式炉，关闭气流，取出衬底，在衬底上得到磷掺杂的氧化锌纳米线。本发明方法工艺简单易行，成本很低，所制备的磷掺杂纳米线含磷量高，晶体质量好。
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公开(公告)号：CN100557770C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710121747.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga2O3纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga2O3纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温，而且其磁性掺杂浓度可控，纳米线纯度高，产量大，线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线)，可以用于自旋场效应三极管(spin-FET)，自旋发光二极管(spin-LED)，自旋共振隧穿器件(spin-RTD)等纳米自旋电子器件的制造，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100383923C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410029905.8
申请日：2004-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/203 , C23C14/24 , C23C14/08 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用，本发明提供的硅衬底纳米氧化锌，由硅衬底及均匀定向生长在硅衬底上的纳米氧化锌组成，所述纳米氧化锌具有六方相的晶相，所述纳米线的直径为80-120纳米，长度为1-100微米。本发明提供的制备硅衬底纳米氧化锌的方法，包括如下步骤：1)利用电子束蒸发或磁控溅射的方法在硅衬底上蒸镀金催化剂，采用纯金属锌为蒸发源；2)经抽真空洗气后，在惰性气体保护下，将反应腔的温度升至450-550℃，然后引入惰性气体与O2的混合气体，反应10-30分钟。本发明的硅衬底纳米氧化锌在制备Spindt型冷阴极或纳米紫外和蓝光光源结构材料中将得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674230A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410029905.8
申请日：2004-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/203 , C23C14/24 , C23C14/08 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用，本发明提供的硅衬底纳米氧化锌，由硅衬底及均匀定向生长在硅衬底上的纳米氧化锌组成，所述纳米氧化锌具有六方相的晶相，所述纳米线的直径为80－120纳米，长度为1－100微米。本发明提供的制备硅衬底纳米氧化锌的方法，包括如下步骤：1)利用电子束蒸发或磁控溅射的方法在硅衬底上蒸镀金催化剂，采用纯金属锌为蒸发源；2)经抽真空洗气后，在惰性气体保护下，将反应腔的温度升至450－550℃，然后引入惰性气体与O2的混合气体，反应10－30分钟。本发明的硅衬底纳米氧化锌在制备Spindt型冷阴极或纳米紫外和蓝光光源结构材料中将得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN1320972A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01118325.X
申请日：2001-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法,在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计,在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构,周期为亚微米或微米级,深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比,在同样电流下发光强度增至1.6－8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。
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公开(公告)号：CN113296372A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN111663175B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910171869.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm2)的单晶金属制得了大面积(1～700cm2)的单晶金属。
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公开(公告)号：CN109652858B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811514047.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。
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