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公开(公告)号：CN101865762A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010174066.4
申请日：2010-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种用恒定幅度及脉宽的变频电源测定无机场致发光期间的方法，它是以恒定电压及脉宽的可变频脉冲电源激发无机场致发光体，起初，场致发光光强与频率成正比地上升，它的增长是线性的，到一定频率时，发光光强开始偏离线性增长而下折，这个回折点所对应的频率是f0，则发光期间T的大小是：(单向脉冲)；(双向交流脉冲)其中p是脉宽的恒定值。本发明超越了只了解衰减速度的局限性，第一次建基于坚实基础，以直观、简便、常规的技术手段，在无机场致发光中巧妙地找出测量场致发光的发光期间。
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公开(公告)号：CN101459225B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910076205.7
申请日：2009-01-05
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件，该器件的结构：Al/SiO2/Au/P型OEL/ITO。在SiO2层(4)及P型OEL层(2)之间为一半透电子的Au电极(3)，分别用两个独立的直流电源激发，使过热电子激发能量大到透过Au电极，碰撞激发P型OEL；SiO2层的厚为500nm，电压V1为50～200V；P型OEL层的厚度为30nm，电压V2为3～15V，使P型OEL的激子彻底离化，实现P型OEL发光。本发明所获得的发光只有扩展态发光，用于电场诱导有机场致发光量子效率及亮度的提高。加在SiO2层的电压提高时，扩展态的发光单调上升。
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公开(公告)号：CN100514698C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710179959.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。
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公开(公告)号：CN101459225A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910076205.7
申请日：2009-01-05
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件，该器件的结构：Al/SiO2/Au/P型OEL/ITO。在SiO2层(4)及P型OEL层(2)之间为一半透电子的Au电极(3)，分别用两个独立的直流电源激发，使过热电子激发能量大到透过Au电极，碰撞激发P型OEL；SiO2层的厚为500nm，电压V1为50～200V；P型OEL层的厚度为30nm，电压V2为3～15V，使P型OEL的激子彻底离化，实现P型OEL发光。本发明所获得的发光只有扩展态发光，用于电场诱导有机场致发光量子效率及亮度的提高。加在SiO2层的电压提高时，扩展态的发光单调上升。
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公开(公告)号：CN101316464A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810116161.1
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种同步光泵浦的有机薄膜晶体管，涉及一种有机薄膜晶体管。该晶体管是在有机薄膜晶体管的上方增设同步泵浦光源(6)。同步泵浦光源(6)的电压与有机薄膜晶体管栅极电压同步控制。该晶体管可用于光电子器件的驱动电路或开关电路。本发明可提高薄膜晶体管的开关电流比和增加输出电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101188273A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710179959.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。
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公开(公告)号：CN100365421C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510086781.1
申请日：2005-11-04
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 在频域内测量有机半导体载流子迁移率的方法，制作一种符号载流子的发光寿命很短的(10-8s)有机发光薄层为探测层，利用发光层发光亮度随激发频率的变化，测量传输相反符号的有机半导体材料的载流子迁移率。激发源可用交流正弦、脉冲或方波电压，测量时频率从高到低，把不同频率下发光的数据连接，其延伸线与频率轴的交点f0即相应载流子穿过待测样品所用的时间，按μ=d2/tv(cm2/s.v)，可导出迁移率μ，其中d是层厚，t为相应于f0的半周长，V是跨越待测层的电位降。和现用的飞行时间测量方法相比，它比较简单、准确度高，避免光激发进深样品厚度的不确定性。
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公开(公告)号：CN114350358B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111655211.5
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种介孔钙钛矿薄膜的制备方法，属于介孔材料薄膜制备技术领域，包括将钙钛矿的前驱体盐与双长链季铵盐一起加入极性溶剂中，搅拌至澄清透明备用；采用旋涂法，选择合适的转速和时间旋凃成膜，然后转移至加热平台上，退火去除残留的有机溶剂，完成钙钛矿介孔钙钛矿薄膜的制备。本发明通过在前驱液中加入双长链季铵盐调控，制备出缺陷少且具有均匀介孔形貌的钙钛矿薄膜；介孔结构钙钛矿薄膜具有优异的光学性能，可以调控光传输路径、在器件中调节光入射和光耦合输出特性；介孔结构钙钛矿薄膜孔洞可以负载更多材料，在制备复合薄膜方面具有独特的优势；介孔钙钛矿薄膜具有更大的比表面积，在光化学领域有极大应用潜力。
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公开(公告)号：CN115394383A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211026286.1
申请日：2022-08-25
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供磷光材料的发光波长预测方法及系统，属于发光材料的性能预测技术领域，获取待检测磷光材料的分子特征；利用预先训练好的波长预测模型对获取的待检测磷光材料的分子特征进行处理，得到待检测磷光材料的发光波长；其中，预先训练好的波长预测模型通过训练集训练得到，训练集包括多个磷光材料的分子特征以及标注不同的分子特征对应的发光波长的标签。本发明提取了数据集中磷光发光材料的相关特征，筛选关键特征作为输入、发光波长作为输出，采用机器学习模型进行训练；对算法模型进行评估和优化，筛选优化后的模型；采用优化后的模型对磷光材料的发光波长进行预测；准确预测了以磷光材料材料的发光波长，实现了高通量磷光材料材料筛选。
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