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公开(公告)号：CN113571594A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110805785.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013340B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202110234318.6
申请日：2021-03-03
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制造方法。异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、钙钛矿层、铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上沉积铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在铜铟镓硒层后，在80℃～150℃条件下加热10min～60min，获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在钙钛矿层上制备氧化锌层；其中，氧化锌层为电子传输层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备的AZO层；其中，AZO层为透明前电极。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113571594B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110805785.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。
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公开(公告)号：CN113013340A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110234318.6
申请日：2021-03-03
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制造方法。异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、钙钛矿层、铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上沉积铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在铜铟镓硒层后，在80℃～150℃条件下加热10min～60min，获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在钙钛矿层上制备氧化锌层；其中，氧化锌层为电子传输层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备的AZO层；其中，AZO层为透明前电极。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112993169A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110235747.5
申请日：2021-03-03
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法。NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在N型钙钛矿层上制备厚度为70纳米的氧化锌层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备厚度为500纳米的AZO层。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。
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