公开(公告)号：CN113571594A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110805785.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 刘武 ,  宋丹丹 ,  朱成皖 ,  李昊天 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  徐征

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。

公开(公告)号：CN113571594B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202110805785.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 刘武 ,  宋丹丹 ,  朱成皖 ,  李昊天 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  徐征

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。