公开(公告)号：CN114974476A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210569200.3

申请日：2022-05-24

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 宋丹丹 ,  刘武 ,  路遥 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  梁志琴

IPC: G16C60/00 ,  G06K9/62 ,  G06N20/00

Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿电池修饰材料的选择方法。该方法包括：获取现有钙钛矿电池采用的修饰材料信息、钙钛矿前驱体特征、修饰材料优化前后的器件性能参数，建立初始数据特征集；对初始数据特征集进行降维处理，得到重要特征数据集；利用重要特征数据集对不同的机器学习算法模型进行训练和测试，选取优化的机器学习算法模型；利用优化模型筛选重要特征数据集中的关键特征，建立关键特征与钙钛矿电池的最终器件性能之间的映射模型；根据映射模型预测出的高效率钙钛矿电池器件性能选择出相应高效的修饰材料。本发明能够量化修饰材料的各个特征对钙钛矿电池输出性能的影响，有效地根据需要实现的高效率钙钛矿电池器件性能来选择高效的修饰材料。

公开(公告)号：CN113571594A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110805785.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 刘武 ,  宋丹丹 ,  朱成皖 ,  李昊天 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  徐征

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。

公开(公告)号：CN113013340B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202110234318.6

申请日：2021-03-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 宋丹丹 ,  朱成皖 ,  刘武 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  乔泊

IPC: H10K85/50 ,  H10K30/10 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制造方法。异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、钙钛矿层、铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上沉积铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在铜铟镓硒层后，在80℃～150℃条件下加热10min～60min，获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在钙钛矿层上制备氧化锌层；其中，氧化锌层为电子传输层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备的AZO层；其中，AZO层为透明前电极。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN113571594B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202110805785.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 刘武 ,  宋丹丹 ,  朱成皖 ,  李昊天 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  徐征

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。

公开(公告)号：CN113013340A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110234318.6

申请日：2021-03-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 宋丹丹 ,  朱成皖 ,  刘武 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  乔泊

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制造方法。异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、钙钛矿层、铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上沉积铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在铜铟镓硒层后，在80℃～150℃条件下加热10min～60min，获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在钙钛矿层上制备氧化锌层；其中，氧化锌层为电子传输层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备的AZO层；其中，AZO层为透明前电极。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN112993169B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202110235747.5

申请日：2021-03-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 宋丹丹 ,  朱成皖 ,  刘武 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  乔泊

IPC: H10K30/10 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12

公开(公告)号：CN112993169A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110235747.5

申请日：2021-03-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 宋丹丹 ,  朱成皖 ,  刘武 ,  徐征 ,  赵谡玲 ,  乔泊

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法。NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在N型钙钛矿层上制备厚度为70纳米的氧化锌层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备厚度为500纳米的AZO层。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。