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公开(公告)号：CN102567693B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010622302.4
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明是一种超高频电子标签对异常命令的处理方法。在该方法中，标签判断接收命令的正确性，如果发现该命令某一位或几位的长度异常，就忽略该命令，状态机保持当前状态，并等待阅读器发送下一条命令。该方法可以达到以下目的：1.保证即使标签接收了异常命令，标签的状态机也不会死掉；2.保证标签仅仅忽略当前的错误命令，仍能正确处理后续命令；3.保证标签可以在任意时刻判断命令是否异常，并立即将解码状态恢复到初始状态。
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公开(公告)号：CN102968607A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257215.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/08
Abstract: 为了提高高频(13.56MHz)非接触智能卡应用的交易速度，智能卡芯片系统希望在提高工作频率的情况下也能够稳定的工作，但是芯片系统工作频率的提高将需要更多的能量，对于高频非接触智能卡，属于无源系统，其获取能量的大小受限于读卡器发射的场强大小，所以系统需要根据智能卡获取能量的大小来确定芯片系统的工作频率，以保证芯片系统稳定的工作，如此芯片系统就需要确切知道智能卡获取的能量大小，本文提供了一种高频非接触智能卡探测获取能量的方法。
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公开(公告)号：CN102567693A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010622302.4
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明是一种超高频电子标签对异常命令的处理方法。在该方法中，标签判断接收命令的正确性，如果发现该命令某一位或几位的长度异常，就忽略该命令，状态机保持当前状态，并等待阅读器发送下一条命令。该方法可以达到以下目的：1.保证即使标签接收了异常命令，标签的状态机也不会死掉；2.保证标签仅仅忽略当前的错误命令，仍能正确处理后续命令；3.保证标签可以在任意时刻判断命令是否异常，并立即将解码状态恢复到初始状态。
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公开(公告)号：CN101943729B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910088707.1
申请日：2009-07-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种对集成电路电源、地上出现的glitch(毛刺)进行快速检测的电路，本发明的检测电路包括采样模块、正glitch检测模块、负glitch检测模块以及与非门；采样模块由电阻、电容构成，实现对电源、地上出现的glitch采样作用；正glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成；负glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成；与非门对正、负glitch的输出进行与非运算后作为本检测电路的输出。
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公开(公告)号：CN101751543B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200810227992.6
申请日：2008-12-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签密集型阅读器访问时，防止标签被同一阅读器重复读取。当密集型阅读器读取无源标签时，无源电子标签间歇性断电，标签标志位状态必须在断电的情况下依旧保持其状态信息时间大于2秒。本电路由对称状态信息保持电路、差分放大器和上电复位控制电路组成。在标签断电的情况下，状态信息保持在状态信息保持电路的电容上面，当标签下次上电时，首先上电复位信号有效，输出复位；当上电复位信号无效时，状态信息经过差分放大器放大输出，保持上一次的信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101943729A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910088707.1
申请日：2009-07-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电源、地上毛刺的快速低功耗检测电路。本发明提供一种对集成电路电源、地上出现的glitch(毛刺)进行快速检测的电路，本发明的检测电路包括采样模块、正glitch检测模块、负glitch检测模块以及与非门；采样模块由电阻、电容构成，实现对电源、地上出现的glitch采样作用；正glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成；负glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成；与非门对正、负glitch的输出进行与非运算后作为本检测电路的输出。
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公开(公告)号：CN101751543A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810227992.6
申请日：2008-12-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签密集型阅读器访问时，防止标签被同一阅读器重复读取。当密集型阅读器读取无源标签时，无源电子标签间歇性断电，标签标志位状态必须在断电的情况下依旧保持其状态信息时间大于2秒。本电路由对称状态信息保持电路、差分放大器和上电复位控制电路组成。在标签断电的情况下，状态信息保持在状态信息保持电路的电容上面，当标签下次上电时，首先上电复位信号有效，输出复位；当上电复位信号无效时，状态信息经过差分放大器放大输出，保持上一次的信息。
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公开(公告)号：CN104882430A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410427404.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。
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公开(公告)号：CN104408511A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410427450.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID安全算法模块的自适应变频时钟设计方法，用于RFID芯片安全算法模块在数据加解密运算中对时钟频率的选择，一般来说，安全算法模块的面积和功耗较大，在超高频RFID的设计中，为了超低功耗需求，不能采用固定的时钟频率，否则工作性能如距离会受到影响。本发明根据超高频协议的上下行速率随读写器的指令在40K～640K之间变化的特点，提出了与数据速率自适应的加解密变频时钟技术，对上下行数据速率进行判断，来决定安全算法模块的时钟频率。即算法模块的时钟是自适应可变的，从而把芯片认证和加解密时的功耗降到最低。
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公开(公告)号：CN102567696A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010622306.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明是一种计算超高频电子标签响应阅读器时间间隔T1的方法。T1指阅读器发送结束到标签响应之间的时间间隔。在该方法中，标签根据接收命令的正确性及标签是否需要返回数据来判断是否产生反向散射时钟，从而计算T1。该方法可以达到以下目的：1、保证将读卡器发送命令结束点到标签返回数据之间的时间间隔T1控制在协议规定的范围内；2、便于实现超高频电子标签的低功耗模式。
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