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公开(公告)号：CN101326673B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200680046001.3
申请日：2006-11-28
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01B1/122 , C03C3/321 , C03C4/18 , C03C10/00 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2300/0068 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明涉及一种固体电解质，是含有锂(Li)元素、磷(P)元素及硫(S)元素的固体电解质，其中，所述固体电解质的固体31PNMR波谱在90.9±0.4ppm及86.5±0.4ppm的位置具有结晶引起的峰值，所述结晶在所述固体电解质中所占的比率Xc为60mol％～100mol％。
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公开(公告)号：CN101326673A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046001.3
申请日：2006-11-28
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01B1/122 , C03C3/321 , C03C4/18 , C03C10/00 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2300/0068 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明涉及一种固体电解质，是含有锂(Li)元素、磷(P)元素及硫(S)元素的固体电解质，其中，所述固体电解质的固体31PNMR波谱在90.9±0.4ppm及86.5±0.4ppm的位置具有结晶引起的峰值，所述结晶在所述固体电解质中所占的比率Xc为60mol％～100mol％。
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公开(公告)号：CN112512991B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201980050258.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C01G15/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3····(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
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公开(公告)号：CN110234785B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880009057.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物烧结体，含有In2O3晶体以及晶体A，所述晶体A在利用X射线即Cu‑Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)～(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰，31.0°～34.0°…(A)36.0°～39.0°…(B)50.0°～54.0°…(C)53.0°～57.0°…(D)9.0°～11.0°…(E)19.0°～21.0°…(F)。
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公开(公告)号：CN113614276A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023273.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C30B29/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113195434A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980085191.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
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公开(公告)号：CN110447093A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880012548.4
申请日：2018-02-15
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/363 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
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公开(公告)号：CN110234785A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009057.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物烧结体，含有In2O3晶体以及晶体A，所述晶体A在利用X射线即Cu-Kα射线衍射测量观测到的、由下述(A)～(F)表达的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰，31.0°～34.0°…(A)36.0°～39.0°…(B)50.0°～54.0°…(C)53.0°～57.0°…(D)9.0°～11.0°…(E)19.0°～21.0°…(F)。
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公开(公告)号：CN116240630A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310249208.6
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3....(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
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公开(公告)号：CN115340360A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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