公开(公告)号：CN113939899A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202080043042.7

申请日：2020-06-12

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  荻原艾琳娜 ,  廖本男 ,  吴柏衡 ,  李懿

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明以提供抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂为课题。本发明涉及一种用于抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂，其中，包含选自唑类化合物、氨基羧酸类化合物和膦酸类化合物的至少1种化合物作为有效成分。

公开(公告)号：CN107075693B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580056861.4

申请日：2015-11-17

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  廖本男 ,  李盈壕

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

Abstract: 本发明提供能够对包括由铜或以铜为主要成分的合金形成的层和由钼或以钼为主要成分的合金形成的层的金属层叠膜进行一次性蚀刻，且可防止钼层的底切，剖面形状的控制和根据剖面对组成浓度的调整容易的具有稳定性的蚀刻液组合物，还提供使用该组合物的蚀刻方法及延长该组合物的寿命的方法。本发明的蚀刻液组合物是用于对包括由铜或以铜为主要成分的合金形成的层和由钼或以钼为主要成分的合金形成的层的金属层叠膜进行一次性蚀刻的蚀刻液组合物，其中，含有过氧化氢、有机酸、胺化合物、唑类、过氧化氢稳定剂，但不含无机酸。

公开(公告)号：CN107304476A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710262809.5

申请日：2017-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

Abstract: 本发明的课题是提供用于蚀刻金属单层膜或金属层叠膜的蚀刻组合物，该组合物实现比以往更好的蚀刻速率，容易控制侧面蚀刻、圆锥角、剖面形状、图案形状，且在保持性能稳定性的同时具有更长的溶液寿命。一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。

公开(公告)号：CN101845630A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010130300.3

申请日：2010-03-23

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  永岛和明

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供可以用一液蚀刻金和镍共存的材料、进而能够控制金和/或镍的蚀刻速率的蚀刻方法及蚀刻液。在碘系蚀刻液中加入无机酸或在常温为固体的有机酸、和/或有机溶剂，调节各成分的配合比形成蚀刻液，用来蚀刻金和/或镍。

公开(公告)号：CN111378453A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911380289.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 关东化学株式会社 ,  AGC株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  清水寿和 ,  中村伸宏 ,  増茂邦雄 ,  渡边晓

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。

公开(公告)号：CN110462799A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020746.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  横山大雅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。

公开(公告)号：CN107075693A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056861.4

申请日：2015-11-17

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  廖本男 ,  李盈壕

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

Abstract: 本发明提供能够对包括由铜或以铜为主要成分的合金形成的层和由钼或以钼为主要成分的合金形成的层的金属层叠膜进行一次性蚀刻，且可防止钼层的底切，剖面形状的控制和根据剖面对组成浓度的调整容易的具有稳定性的蚀刻液组合物，还提供使用该组合物的蚀刻方法及延长该组合物的寿命的方法。本发明的蚀刻液组合物是用于对包括由铜或以铜为主要成分的合金形成的层和由钼或以钼为主要成分的合金形成的层的金属层叠膜进行一次性蚀刻的蚀刻液组合物，其中，含有过氧化氢、有机酸、胺化合物、唑类、过氧化氢稳定剂，但不含无机酸。

公开(公告)号：CN1847457A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610075444.7

申请日：2006-04-14

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。