公开(公告)号：CN110462799B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201880020746.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  横山大雅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。

公开(公告)号：CN110462799A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020746.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  横山大雅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。