一种电镜原位加热装置结合焊料的纳米焊接方法

    公开(公告)号:CN106392233A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201611107702.5

    申请日:2016-12-06

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种电镜原位加热装置结合焊料的纳米焊接方法。本发明焊接过程均在SEM-FIB中进行,利用位于扫描电镜腔室内的原位加热装置对焊接部位进行加热,同时借助离子束清洗焊接区域,去除纳米材料表层的杂质(如焊料表面氧化物,碳类化合物,有机物等),只使焊料变成熔融状态,而对母体材料无损伤,通过保温一定时间,熔融焊料与同样被加热的母体材料发生持续且强烈的扩散作用,最终实现焊接纳米图案的目的。本发明可精确控制加热温度,只使低熔点的焊料发生融化,而对母体材料无损伤,对于焊接高熔点的氧化物半导体纳米材料具有显著的优势。该焊接方法可实时观测整个焊接过程,可控性极强且方便快捷,可同时实现多处纳米图案的焊接,效率高。

    一种纳米操纵器高压控制电源系统

    公开(公告)号:CN103546060B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201310535780.5

    申请日:2013-11-04

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米操纵器高压控制电源系统,包括:电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源、纳米操纵器、上位机,其中所述电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源接受上位机发出的运动控制信号,经过处理、放大并发出高压稳定的脉冲电压信号驱动所述纳米操纵器在纳米尺度下的精确运动,同时把纳米操纵器的运动轨迹反馈回上位机,从而实现了对纳米操纵器的智能化精确控制。所述电子显微镜原位纳米操纵器高压控制电源包括线性可调高压放大电路及其附属电路和以DSP芯片为核心控制的嵌入式控制器DSP信号控制器。所述的上位机,包括PC机和PS手柄,通过电路切换能同时控制,也能够单独的控制,可很方便的实现两种控制之间的转换,操作过程人性化,直观化。

    一种可加电、磁场的透射电子显微镜样品杆

    公开(公告)号:CN104916516A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510275642.7

    申请日:2015-05-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种可加电、磁场的透射电子显微镜样品杆,包括样品杆头、样品杆身、手握柄,所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆头设有载物台,载物台上设置有微型电磁铁以及微加工方式制作电学测试芯片;所述的样品杆身中,前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接,前端细杆与样品杆头连接,后端粗杆与手握柄连接。本发明可以在电、磁场下直接原位观察低维磁性结构的单体输运性质,最终实现在纳米甚至原子尺度上理解低维磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。

    多场调控磁电功能透射电镜样品杆

    公开(公告)号:CN104867802A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510276385.9

    申请日:2015-05-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了多场调控磁电功能透射电镜样品杆,多场调控磁电功能透射电镜样品杆,包括样品杆头、样品杆身、手握柄,所述的样品杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆身中,前端细杆与后端粗杆通过密封圈连接,前端细杆与样品杆头连接,后端粗杆与手握柄连接;所述的样品杆头设置有微型电磁铁及四电极压电陶瓷管。申请人应用对称性原理和沟槽轨道的设计,使本发明中的样品杆结构对称布置,平衡性好,尺寸紧凑,直线运动,在一定的程度上还减小了内应力和抵消温度引起的形变。

    纳米操纵器
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102608359B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201210045621.2

    申请日:2012-02-25

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明属于纳米操纵器领域,特别涉及一种通过压电陶瓷驱动的纳米操纵器。该操纵器包括定位装置及执行机构,所述的定位装置包括运动轨道、压电陶瓷、运动台,压电陶瓷安装在运动轨道内,加脉冲电压于压电陶瓷上,驱动运动台摩擦接触的沿运动轨道运动;执行机构与运动台连接,所述的执行机构为操纵手。本发明结构对称布置,平衡性好,尺寸紧凑,直线运动,在一定的程度上还减小了内应力和抵消温度引起的形变,可广泛应用于精确操控、剪裁和组装纳米单体及精确测量纳米单体物理性质。

    一种用于探究熔点尺寸效应的原位芯片样品的制备方法

    公开(公告)号:CN117405715A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311251989.9

    申请日:2023-09-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于探究熔点尺寸效应的原位芯片样品制备方法,包括:1)利用聚焦离子束‑扫描双束电镜沉积厚度为0.5um的Pt保护层;2)用离子束削除Pt保护层周围的材料;3)用离子束将沉积Pt保护层的目标样品加工成特定形状;4)将特定形状的样品用机械手转移至Grid并用离子束精修;5)将载有精修目标样品的Grid取出后固定在和芯片同一平面的45°斜托;6)用机械手将Grid上的精修样品转移至加热芯片并固定;7)用离子束剪薄并用低电压清洗。本发明在不损伤芯片的前提下制备具有高分辨率、不同厚度的样品。样品最终与芯片平行贴合,受热均匀且保证样品不会因为转移过程中增加角度,操作过程简单易学,成功率也大大提升。

    适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆

    公开(公告)号:CN112697818B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202011471198.3

    申请日:2020-12-14

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆,属于微纳米材料测量研究领域。包括样品杆杆头、样品杆杆身、手握柄,所述的样品杆杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成,所述的样品杆杆头设有适用于FIB技术制样的载物台,载物台由固定底片和压盖组成。载物台底片两侧有通孔可以引线路通电。样品杆杆头上设置有微型电磁铁。本发明可以直接装载FIB专用微栅,应用于透射电子显微镜中在洛伦兹模式下直接原位观察磁性结构在水平磁场的作用下的磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。亦可以在透射电镜中其他模式下直接原位观察样品在水平磁场和通电状态下的微观结构变化。

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