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公开(公告)号：CN100585007C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710307219.6
申请日：2007-12-30
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 汽车轮毂表面真空镀膜处理工艺，包括预处理、表面喷涂、离子清洗、真空镀膜及保护层制备步骤完成，本发明轮毂表面的金属层通过真空镀膜的方法沉积，避免了大量水资源的消耗、大量含重金属废水的产生以及由此产生的额外的成本；其次，除节约大量的贵金属外，由于油漆的流平作用，降低传统工艺的成本，同时简化了工艺，提高了效率，减轻了工人的劳动强度；再次，由于保护层与金属层的制备在同一真空实体中进行，避免了额外的工序，节约了劳动时间，制备的保护膜化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性，保证了轮毂的色泽；采用离子清洗，保证了膜层良好的结合力，大大提高了汽车轮毂的品质。
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公开(公告)号：CN100517572C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710018887.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C30B30/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10-4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80%；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN101311297A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810017780.5
申请日：2008-03-12
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明主要涉及一种真空镀膜设备工件三维转动机构，包括有动力输入轴(1－1)、公转盘支撑座(1－2)、公转转动轴承(1－3)、公转盘转动连接盘(1－4)、公转盘(1－5)，在公转盘(1－5)上设有工件转盘支撑杆(13)，工件转盘支撑杆(13)上方设有上支架(14)，工件杆(4)通过转动支撑座(15)与上支架(14)连接，工件杆(4)上设置有工件旋转轴(11)，其特点是在公转盘(1－5)上设有工件自转和工件旋转机构，公转盘转动连接盘(1－4)与自转齿轮盘(2－2)固连。本发明可实现工件在真空环境中公转、公转+旋转、公转+自转、公转+自转+旋转四种不同状态的运动效果，具备灵活性、多样性，提高镀膜质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN101225543A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710018889.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1－5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99％的高纯硅块体，溅射时功率密度为1－10W/cm2，靶和基底的距离为50－300mm，镀膜时，真空室体的温度为100－160℃，在工件和真空室体间加占空比为40－80％的200－1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5－5μm。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。
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公开(公告)号：CN101173347A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710018888.1
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，特别涉及汽车车灯保护膜的制备。一种汽车车灯保护膜制备方法，其主要特点是包括如下步骤：(1)预处理：将车灯基体在超声清洗机中用清洗液和纯净水的混合液进行表面清洗；(2)蒸镀铝膜；将清洗好的基体放入真空室蒸镀铝膜；(3)软质保护膜制备，采用单体材料六甲基二硅氧烷离子聚合，高压直流电场辉光放电产生等离子，直流电场的强度在2500～3500V，电流强度在2～3A；产生辉光时，真空室压强为2～5Pa。本发明的优点是，由于蒸发形成的氧化硅保护膜性能稳定，且质地较硬，属于陶瓷膜，因此化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性变黄，因此保证了车灯的光学性能；由于采用了软质保护膜层即中间过渡层，有效减小了铝膜与氧化硅膜层之间的内应力，保证了膜层良好的结合力。由本发明工艺制备的车灯的反射率在90％以上，优于我国车灯国标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101140866A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710018887.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C30B30/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10－4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN111964283A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010855228.4
申请日：2020-08-24
Applicant: 兰州交通大学
Abstract: 本发明是一种线性菲涅尔式聚光器，含有一次反射镜、二次聚光器，二次聚光器内部是集热管、二次反射镜，二次反射镜外部设有保温层，开口处有玻璃盖板，玻璃盖板表面有光谱选择性反射膜，集热管是表面镀有光谱选择性吸收膜的金属管，玻璃盖板上的光谱选择性反射膜由缓冲层、红外反射层、可见光的减反射层、增透膜层构成，玻璃盖板内表面是缓冲层、红外反射层，缓冲层或红外反射层之上是增透膜层，外表面是可见光的减反射层。有益效果：取消了玻璃真空管，可实现无间隙安装。玻璃盖板消除了对流热损失。光谱选择性反射膜降低了热辐射损失。用金属管成本急剧下降，显著降低了建设及运维成本。
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公开(公告)号：CN108761780B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810634340.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于聚光集热系统中聚光镜构造的光学建模方法，适用于线性菲涅尔式等线聚焦的集热系统中二次反射镜的建模。特别适用于槽式或碟式聚光系统。二次反射镜不再依赖于特殊形状反射面的限制，能够根据一次反射镜参数、集热管规格、安装工艺等实际情况进行快速建模，并且具有很高的拦截效率，实现了结构优化与效率提升。
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公开(公告)号：CN106152576A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610824620.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 兰州交通大学
CPC classification number: F24S70/20 , Y02E10/40 , C23C14/067 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/352 , F24S70/12
Abstract: 本发明涉及功能薄膜技术领域，具体是指一种可实现太阳能光热能量转换的高温光谱选择性吸收涂层。一种基于难熔金属硼化物的高温光谱选择性吸收涂层，其主要特点在于：在基板上设有红外反射层，在红外反射层上顺序设有光谱主吸收层、光谱辅吸收层和减反射层，其中光谱主吸收层和光谱辅吸收层中均包含难熔金属硼化物作为吸收光谱能量的主要成分。本发明涂层可采用磁控溅射等真空镀膜技术沉积在不锈钢等基体上，能够稳定工作在500～620℃真空或大气环境中，可应用于太阳能聚光集热高温发电等领域。本发明的涂层具有吸收率高、热发射比低、高温稳定性和耐久性优越等特性，适合于工业化生产与应用。
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公开(公告)号：CN100585030C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710018889.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1-5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99%的高纯硅块体，溅射时功率密度为1-10W/cm2，靶和基底的距离为50-300mm，镀膜时，真空室体的温度为100-160℃，在工件和真空室体间加占空比为40-80%的200-1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5-5μm。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。
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