公开(公告)号：CN106298512B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN107818916A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711017467.7

申请日：2017-10-26

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 金锐 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L21/285

摘要： 本发明涉及一种压接式IGBT器件正面压接金属电极结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的IGBT晶圆；步骤2、将金属淀积基片键合在连接金属电极层上；步骤3、在上述金属淀积基片上方淀积所需的金属，所述淀积的金属通过金属淀积图形与连接金属电极层电连接；步骤4、将金属淀积基片与连接金属电极层分离；步骤5、在上述IGBT晶圆正面制备所需的钝化层。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，能有效实现压接式IGBT器件正面上压接金属电极层的制备，可以省掉压接式IGBT器件上压接金属电极层的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。

公开(公告)号：CN107818916B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201711017467.7

申请日：2017-10-26

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 金锐 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L21/285

摘要： 本发明涉及一种压接式IGBT器件正面压接金属电极结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的IGBT晶圆；步骤2、将金属淀积基片键合在连接金属电极层上；步骤3、在上述金属淀积基片上方淀积所需的金属，所述淀积的金属通过金属淀积图形与连接金属电极层电连接；步骤4、将金属淀积基片与连接金属电极层分离；步骤5、在上述IGBT晶圆正面制备所需的钝化层。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，能有效实现压接式IGBT器件正面上压接金属电极层的制备，可以省掉压接式IGBT器件上压接金属电极层的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。

公开(公告)号：CN206271661U

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201621073091.2

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN109244122A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810990558.7

申请日：2018-08-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 刘钺杨 ,  金锐 ,  和峰 ,  董少华 ,  刘江 ,  冷国庆 ,  温家良 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/868

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；多个不连续的第一绝缘凸起，形成在第一半导体层上；第一金属电极层，形成在多个不连续的第一绝缘凸起上。通过若干不连续的第一绝缘凸起，使得第一金属电极层相对于衬底为凹凸结构，当垂直压接力施加在第一金属电极层表面时，由于凸起的存在使得第一金属电极层产生横向形变，进而通过第一金属电极层的横向形变分散部分压接力，以减少作用在第一半导体层以及衬底上的压接力，缓解垂直压力对器件造成的应力损伤。

公开(公告)号：CN114068728A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111547921.6

申请日：2021-12-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 董少华 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  金锐 ,  姚兆民

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。

公开(公告)号：CN110571270A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910870940.9

申请日：2019-09-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李立 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  高明超 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置，其中，沟槽栅型IGBT器件，包括沟槽栅结构，其第四功能区层位于第三功能区层与第一电极之间，在第三功能区层上设置有第二功能区层，在第二功能区层的内部成型第一功能区层、第三电极、第一电极层和第二电极层，在第二电极上成型介质层，介质层位于第二电极与第三电极之间，第三电极的一端面与介质层接触，第三电极的另一端面和侧壁区域被第一电极层包围，第二电极层与介质层平行且与沟槽栅结构的底部区域接触，第一功能区层分别与第二电极和介质层接触且设置在沟槽栅结构的两侧，以及在沟槽栅结构设置第二电极层可使得沟槽栅型IGBT器件的反向传输电容得到有效降低。

公开(公告)号：CN107579113A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710600062.X

申请日：2017-07-21

申请人： 全球能源互联网研究院

发明人： 甘朝阳 ,  董少华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，P型区结构的截面形状为倒T形，位于假栅沟槽结构底部，并且倒T形两端包裹住所述沟槽结构的底部，所述假栅沟槽结构的截面形状为与所述P型区结构相配合的Π形。本发明提供的技术方案中倒T形P岛延伸至trench底部，可以降低trench底部电场，保护trench底部不被击穿，而且可以为漂移区提供空穴载流子，从而增大P-well下方的空穴载流子浓度，增强电导调制效应，降低导通电阻，且距离P-well较近，关断时多余的空穴载流子可以迅速被扫出，关断电流较小；T型P岛为一体，充满整个dummy trench底部，可以平衡电场，保证器件耐压。

公开(公告)号：CN111682062A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010594130.8

申请日：2020-06-24

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 李立 ,  金锐 ,  王耀华 ,  董少华 ,  刘江 ,  高明超 ,  吴军民

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件，通过将缓冲层中与IGBT器件的有源区对应的区域设置为第一激活效率缓冲区，与IGBT器件的终端区对应的区域设置为第二激活效率缓冲区，且第二激活效率缓冲区的激活率大于第一激活效率缓冲区的激活效率，从而降低了终端区的空穴注入效率；IGBT器件芯片过流关断时，终端区注入的空穴在IGBT关断时都要通过主结进行收集，从而降低了有源区边缘主结处的电流集中现象，提高了器件的过流关断性能。

公开(公告)号：CN109216472A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810990583.5

申请日：2018-08-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 和峰 ,  刘钺杨 ,  金锐 ,  温家良 ,  连建红 ,  刘江 ,  董少华 ,  冷国庆 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。