公开(公告)号：CN105900220A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580003982.2

申请日：2015-01-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。

公开(公告)号：CN116917556A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280019090.1

申请日：2022-01-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高野清隆 ,  镰田洋之

IPC: C30B15/20

Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备具有中心轴的提拉炉以及具有线圈的磁场产生装置，对熔融半导体原料施加水平磁场，其中，线圈是鞍型，设有2组相向配置的鞍型线圈的对，2组线圈对中的2条线圈轴包含在同一水平面内，当在该水平面内，将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴，将垂直于X轴的方向设为Y轴时，2条线圈轴间夹着X轴的中心角度α为90度以下，相邻的线圈彼此间夹着Y轴的线圈间角度β为20度以下。由此，提供一种单晶提拉装置、及单晶提拉方法，能通过提高磁场产生效率而减小线圈高度，能使磁场中心提高至半导体原料的熔液面附近，能得到氧浓度比现有技术更低的单晶，并能更高速地提拉无缺陷晶体。

公开(公告)号：CN115244229A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020036.4

申请日：2021-02-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高野清隆 ,  菅原孝世 ,  镰田洋之 ,  小内骏英 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。

公开(公告)号：CN106795647A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046406.6

申请日：2015-08-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之 ,  高野清隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。