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公开(公告)号：CN105531821A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480049853.2
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。
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公开(公告)号：CN105474358A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045780.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN103918058A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280045093.9
申请日：2012-08-21
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/306 , G01B21/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L22/20
Abstract: 本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。
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公开(公告)号：CN107615445B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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公开(公告)号：CN107615445A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271721C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02801275.5
申请日：2002-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。
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公开(公告)号：CN116057666A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054023.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 横川功
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种SOI晶圆的制造方法，包含：通过热氧化在包含掺杂剂的基底晶圆的整面形成硅氧化膜的工序；以及使结合晶圆的主面与基底晶圆的第一主面经由硅氧化膜贴合的工序，在热氧化工序之前，还包含：在基底晶圆的第二主面上形成CVD绝缘膜的工序；以及在基底晶圆的第一主面上形成以低于基底晶圆的掺杂剂浓度的浓度含有掺杂剂的阻挡硅层的工序，在热氧化工序中，将阻挡硅层热氧化而获得阻挡硅氧化膜，在贴合工序中，使结合晶圆与基底晶圆经由硅氧化膜的一部分即阻挡硅氧化膜贴合。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，能够一边抑制因基底晶圆的掺杂剂的混入所导致的SOI层的污染，一边制造SOI晶圆。
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公开(公告)号：CN110024080B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780073727.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 横川功
Abstract: 本发明提供了一种SOI晶圆的制造方法，包含以下步骤：通过硅氧化膜将同样由硅晶圆构成的接合晶圆及基底晶圆贴合的步骤；以及薄膜化接合晶圆的步骤，而在贴合步骤前，还包含：以亲水性的洗净液洗净两晶圆的步骤；以及通过吸引干燥或旋转干燥将洗净后的两晶圆干燥的步骤，其中，在干燥步骤结束后至开始贴合步骤为止的期间，保管两晶圆直到进行贴合步骤时的贴合速度变为20mm/秒以下为止，并且在贴合速度为20mm/秒以下的状态进行贴合。由此，提供能以简便的方法抑制外缘微小孔洞产生，而制造SOI晶圆的SOI晶圆制造方法。
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公开(公告)号：CN110574141B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201880027263.8
申请日：2018-02-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 横川功
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，其具有使用批处理式离子注入机的离子注入工序，该方法特征在于，向接合晶圆进行离子注入的离子注入工序未在接合晶圆的表面形成绝缘膜，或是通过形成于接合晶圆表面的厚度为50nm以下的绝缘膜，并且相对于接合晶圆的结晶轴使注入角度倾斜来照射轻元素离子束，以轻元素离子束的中心向从接合晶圆的中心起在接合晶圆的表面的与旋转体的中心方向平行的方向上偏移了规定量的位置照射的方式，向接合晶圆的全表面照射所述轻元素离子束来进行离子注入。由此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，其能够抑制离子注入深度的面内均一性的恶化，并能够制造剥离后的薄膜厚度的面内均一性优异的贴合晶圆。
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公开(公告)号：CN105531821B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480049853.2
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。
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