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公开(公告)号：CN119054053A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380037732.5
申请日：2023-04-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种清洗液，其为用于清洗硅晶圆的清洗液，其特征在于，所述清洗液为包含臭氧的氢氟酸水溶液，在所述清洗液中，氢氟酸浓度为使通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率为0.004nm/sec以上的浓度，臭氧浓度为使通过臭氧实现的氧化膜形成速率为0.01nm/sec以下的浓度，并且，所述氢氟酸浓度与所述臭氧浓度满足以(通过臭氧实现的氧化膜形成速率)/(通过氢氟酸实现的氧化膜蚀刻速率)表示的速率比为1以下的关系。由此，可提供一种清洗液，所述清洗液可在抑制硅晶圆的表面粗糙度(雾度)的恶化和产生突起状的缺陷(PID)等的同时，进行硅晶圆表面的微粒和金属杂质的去除。
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公开(公告)号：CN115461192B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180030685.2
申请日：2021-02-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: B24B7/00 , B24B1/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶圆的平面研磨方法，在该方法中，准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面，且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆，将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆盖的树脂层，在树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体，在将晶圆复合体在基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第1主面，从晶圆复合体去除基底部件，在将晶圆在第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第2主面，清洗晶圆，去除残留在晶圆的边缘部的脱模剂层和树脂层。由此，提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
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公开(公告)号：CN117121167A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280026320.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的第一方案为一种供于研磨工序后的晶圆的清洗方法，其特征在于，包含：在所述研磨工序后利用臭氧水对所述晶圆进行处理的臭氧水处理工序；与在所述臭氧水处理工序后使用氟树脂系刷毛刷洗所述晶圆的刷洗工序，所述刷洗工序包含：使用包含HF和电解质的溶液刷洗所述晶圆的第一刷洗处理；与在所述第一刷洗处理后使用臭氧水刷洗所述晶圆的第二刷洗处理。由此，能够提供一种能够减少清洗后的晶圆上的缺陷数量的晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN111602231A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201980007004.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。
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公开(公告)号：CN111033696A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052419.8
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN110140197B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780082034.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体晶圆的洗净方法，对于在表面形成有氧化膜的半导体晶圆予以供给得以除去该氧化膜的洗净液，且在旋转该半导体晶圆的同时予以进行洗净，而将形成于该半导体晶圆的表面的氧化膜予以除去，其中该氧化膜的除去，系自该洗净液的洗净开始直至疏水面出现前为止，以该半导体晶圆的旋转速度为300rpm以上而进行，之后以切换该半导体晶圆的旋转速度为100rpm以下而进行而将该氧化膜完全除去。由此提供能兼得表面粗糙度的改善及表面缺陷的抑制的半导体晶圆的洗净方法。
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公开(公告)号：CN110447088B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880019193.1
申请日：2018-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN115398600A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028415.8
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的清洗方法，其清洗研磨后的半导体晶圆，进行利用臭氧水清洗所述研磨后的半导体晶圆而形成氧化膜的第一臭氧水处理工序，在该第一臭氧水处理工序后，进行利用碳酸水对所述半导体晶圆进行刷清洗的刷清洗工序，之后，进行1次以上的第二臭氧水处理工序，在所述第二臭氧水处理工序中，利用氢氟酸清洗所述半导体晶圆而去除所述氧化膜后，利用臭氧水进行清洗而再次形成氧化膜。由此，提供一种半导体晶圆的清洗方法，其能够达成与SC1同等的清洗水平，并且能够减少或防止如使用了SC1的情况那样在晶圆面上产生缺陷或表面粗糙度的恶化，而能够进一步削减成本、降低环境负荷。
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公开(公告)号：CN112673458A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980058971.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体硅晶圆的清洗方法，该方法包含：研磨后的臭氧水处理步骤，将研磨后的半导体硅晶圆浸渍于臭氧水；进行第一超声波臭氧水处理的步骤，浸渍于臭氧水，并一边施加超声波一边在常温下进行清洗；以及进行第二超声波臭氧水处理的步骤，在进行第一超声波臭氧水处理的步骤之后，进行将半导体硅晶圆从臭氧水取出并使其旋转的晶圆旋转处理，再次浸渍于臭氧水，并一边施加超声波一边在常温下进行清洗，其中，将进行第二超声波臭氧水处理的步骤进行一次以上，并进行氟酸处理步骤和臭氧水处理步骤。由此，提供一种半导体硅晶圆的清洗方法及清洗处理装置，其能够抑制晶圆面上的突起状的缺陷的产生或表面粗糙度的恶化而提高晶圆质量，并且与现有技术相比更能削减成本。
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公开(公告)号：CN112204712A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036009.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/18 , C11D7/54 , C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度成长为1.0nm以上。由此提供一种具有良好的微粒质量且能够形成稳定的化学氧化膜的硅晶圆的清洗方法。
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