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公开(公告)号：CN103958406B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN103702938B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280035894.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , H01L21/02532
Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。
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公开(公告)号：CN102498065B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080040883.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , C22C1/02 , Y02P20/124
Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。
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公开(公告)号：CN103328380A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065676.3
申请日：2011-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C01B33/02
CPC classification number: C23C16/45563 , C01B33/035 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种得到多晶硅棒的技术，其中，虽然为高速析出反应，但会抑制多晶硅表面的爆米花产生，不会发生由粉末的产生而引起的重金属污染、突起状异常析出。原料的气体供给喷嘴(9)配置于在圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想同心圆（面积S0的底板(5)的一半面积S)的内侧。将原料气体从气体供给喷嘴(9)以150m/秒以上的流速喷出到钟罩(1)内。在图3所示的例子中，设置有4个气体供给喷嘴(9)，但在任意一种情况下，气体供给喷嘴(9)均配置在同心圆C的内侧。在图3所示的例子中，除了设置在底板(5)的中央部的气体供给喷嘴(9)之外，在与以该中央部的气体供给喷嘴(9)作为中心的外切圆E相切的正三边形的顶点的位置处还配置有3个气体供给喷嘴(9)。利用这样的气体供给喷嘴配置，在反应炉内形成顺畅的循环流动。
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公开(公告)号：CN107848810B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680043217.8
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C01B33/02
Abstract: 本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103328380B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201180065676.3
申请日：2011-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C01B33/02
CPC classification number: C23C16/45563 , C01B33/035 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种得到多晶硅棒的技术，其中，虽然为高速析出反应，但会抑制多晶硅表面的爆米花产生，不会发生由粉末的产生而引起的重金属污染、突起状异常析出。原料的气体供给喷嘴(9)配置于在圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想同心圆（面积S0的底板(5)的一半面积S)的内侧。将原料气体从气体供给喷嘴(9)以150m/秒以上的流速喷出到钟罩(1)内。在图3所示的例子中，设置有4个气体供给喷嘴(9)，但在任意一种情况下，气体供给喷嘴(9)均配置在同心圆C的内侧。在图3所示的例子中，除了设置在底板(5)的中央部的气体供给喷嘴(9)之外，在与以该中央部的气体供给喷嘴(9)作为中心的外切圆E相切的正三边形的顶点的位置处还配置有3个气体供给喷嘴(9)。利用这样的气体供给喷嘴配置，在反应炉内形成顺畅的循环流动。
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公开(公告)号：CN103517873B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280022814.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 在芯线支架(20)中形成有在主体的上表面具有开口部(22)且朝向下表面侧的芯线插入孔(21)，在该芯线插入孔(21)中插入硅芯线(5)。另外，形成有沿包含上述芯线插入孔(21)的中心轴(C)的假想平面(P)的狭缝状的间隙部(60)，该狭缝状的间隙部(60)成为从芯线插入孔(21)延伸到支架(20)主体的外侧面的间隙部。插入在该芯线插入孔(21)中的硅芯线(5)利用例如螺栓/螺母方式的固定构件(31)从侧面将支架(20)的主体的上部紧固，由此，以使间隙部(60)的间隔变窄的方式进行紧固并固定。
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公开(公告)号：CN104736480A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054109.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/50 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 在本发明的方法中，通过调整供给至用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉的原料气体的动能(原料气体供给喷嘴喷出口处的原料气体的流速和供给量)，控制爆米花的产生率。具体而言，在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在原料气体供给喷嘴(9)的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、反应炉(100)的内部容积设为V(m3)时，以使得值Q×u2/V的合计Σ(Q×u2/V)为2500(kg/m·sec3)以上的方式设定原料气体供给喷嘴(9)各自的u和Q值。
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公开(公告)号：CN103702938A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280035894.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , H01L21/02532
Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。
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公开(公告)号：CN103517873A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022814.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 在芯线支架(20)中形成有在主体的上表面具有开口部(22)且朝向下表面侧的芯线插入孔(21)，在该芯线插入孔(21)中插入硅芯线(5)。另外，形成有沿包含上述芯线插入孔(21)的中心轴(C)的假想平面(P)的狭缝状的间隙部(60)，该狭缝状的间隙部(60)成为从芯线插入孔(21)延伸到支架(20)主体的外侧面的间隙部。插入在该芯线插入孔(21)中的硅芯线(5)利用例如螺栓/螺母方式的固定构件(31)从侧面将支架(20)的主体的上部紧固，由此，以使间隙部(60)的间隔变窄的方式进行紧固并固定。
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