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公开(公告)号：CN118541625A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280073603.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种波长转换体，其中，作为半导体纳米颗粒，所述波长转换体包含将波长450nm的光转换为波长λ1nm的光的第一半导体纳米颗粒、与将波长450nm的光转换为波长λ2nm的光的第二半导体纳米颗粒，所述波长λ1及所述波长λ2满足λ1＞λ2＞450，对包含所述第一半导体纳米颗粒与所述第二半导体纳米颗粒的所述波长转换体照射波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1b、与对仅包含所述第一半导体纳米颗粒作为半导体纳米颗粒的波长转换体照射所述波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1a之间的关系满足I1a＜I1b。由此，提供一种对蓝色光的吸收率及波长转换后的光提取效率得到提高的波长转换体。
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公开(公告)号：CN114746364B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080082454.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
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公开(公告)号：CN118251618A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280075790.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种量子点的图案化方法，其特征在于，其包含：在基板上涂布含有量子点与固化性树脂的混合物从而得到树脂层的工序；通过喷墨方式，在所述树脂层上将固化剂喷成图案状的工序；使所述树脂层中喷有所述固化剂的部分固化的固化处理工序；及使用溶剂去除所述树脂层中未固化的部分的工序。由此，能够提供一种量子点的图案化方法，其能够稳定地形成量子点的图案而不会受到起因于喷墨方式的限制、且能够抑制量子点的劣化。
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公开(公告)号：CN113874466B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080038558.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子点，所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体，所述量子点的表面经含有氟的配体修饰。由此，提供一种具有高稳定性、在添加至含氟树脂中时也不易引起凝集的为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点。
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公开(公告)号：CN110240479A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910173614.2
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50
Abstract: 本发明涉及一种透明复合氧化物烧结体、其制造方法和磁光学设备。通过在惰性气氛或真空中烧结成型体并且对烧结的成型体进行HIP处理而制造透明复合氧化物烧结体，条件是该成型体由基于稀土氧化物：(TbxY1-x)2O3的原料粉末成型，其中0.4≤x≤0.6，并且在空气中以15℃/min的加热速率从室温加热时，该成型体显示出至少y％的起因于氧化反应的重量增加，y由式：y＝2x+0.3确定。由于控制Tb离子的价态，因此该烧结体具有长发光寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114746363B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080083102.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02B5/20 , F21S2/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为一种量子点，其为结晶性纳米颗粒，所述量子点具有核颗粒与包含所述核颗粒上的多个层的多层结构，所述量子点以Zn、S、Se及Te为构成元素，所述量子点自所述量子点的中心起在半径方向上具有至少一个量子阱结构。由此，可提供一种为结晶性纳米颗粒的量子点，其不含Cd、Pb等有害物质，发光半值宽度等发光特性优异，具有高量子效率。
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公开(公告)号：CN115943122B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202180041886.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种量子点的制造方法，其为钙钛矿型的量子点的制造方法，其中，使用分别包含不同元素的多个前驱体溶液，将所述多个前驱体溶液分别加热，制成所述前驱体溶液的气溶胶并分别进行喷雾，使多个所述气溶胶碰撞而进行气相反应并滴加至溶剂中，由此合成包含所述不同元素的核颗粒。由此，提供一种可进行粒径的控制、在大规模的合成中也可得到粒径均匀的纳米颗粒的量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN115943122A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180041886.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种量子点的制造方法，其为钙钛矿型的量子点的制造方法，其中，使用分别包含不同元素的多个前驱体溶液，将所述多个前驱体溶液分别加热，制成所述前驱体溶液的气溶胶并分别进行喷雾，使多个所述气溶胶碰撞而进行气相反应并滴加至溶剂中，由此合成包含所述不同元素的核颗粒。由此，提供一种可进行粒径的控制、在大规模的合成中也可得到粒径均匀的纳米颗粒的量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN115605429A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035580.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 信越化学工业株式会社(JP)
IPC: C01B25/08 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/75 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/48 , G02B5/20
Abstract: 本发明为一种包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其包括将金属氧化物包覆在半导体纳米颗粒的表面的工序，其特征在于，通过对金属氧化物前驱体进行微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。由此，提供一种高效制造荧光发光效率的劣化得以抑制的包覆半导体纳米颗粒的方法。
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