公开(公告)号：CN115605429A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035580.6

申请日：2021-04-19

Applicant: 信越化学工业株式会社(JP)

Inventor： 鸢岛一也 ,  青木伸司 ,  野岛义弘

IPC: C01B25/08 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/75 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/48 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明为一种包覆半导体纳米颗粒的制造方法，其包括将金属氧化物包覆在半导体纳米颗粒的表面的工序，其特征在于，通过对金属氧化物前驱体进行微波照射处理，将所述金属氧化物包覆在所述半导体纳米颗粒的表面。由此，提供一种高效制造荧光发光效率的劣化得以抑制的包覆半导体纳米颗粒的方法。