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公开(公告)号：CN110246758B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚
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公开(公告)号：CN115555743A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210772090.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；从激光聚光部(190)朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，在晶块(10)的一部分区域，从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21)和从该加工痕(21)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22)的改性层(20)的工序；以及从改性层(20)至晶块(10)的上表面(10a)的剩余区域的规定深度，使开裂自发地传播而形成开裂面(25)的工序。
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公开(公告)号：CN110246758A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN103572248B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310337976.3
申请日：2013-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C23C16/27 , C23C16/517
CPC classification number: C30B25/16 , C23C16/27 , C23C16/272 , C23C16/515 , C23C16/517 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/04 , H01J37/32027 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/3321
Abstract: 通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。
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公开(公告)号：CN101775648A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910253987.7
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明以低成本提供：金刚石和单晶基板不会破损，且具有面积大、结晶性高的单晶金刚石膜作为连续膜的层积基板及其制造方法。该层积基板是至少具有单晶基板和在该单晶基板上化学气相沉积的金刚石膜的层积基板，其特征在于，上述单晶基板是Ir单晶或Rh单晶。该层积基板的制造方法的特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序，并且上述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101054720A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710085883.0
申请日：2007-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/18 , C30B29/04 , H01L21/0242 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能更确实地使单结晶钻石成长的单结晶钻石成长用基材的制造方法。一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，包含对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，通过以基材侧电极作为阴极的直流放电而形成钻石核，其特征在于：该处理中，至少保持偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止的基材温度为800℃±60℃。
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公开(公告)号：CN117480283A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280042067.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明为一种金刚石基板的制造方法，其特征在于，其为通过微波等离子体CVD法、直流等离子体CVD法、热灯丝CVD法或电弧放电等离子体喷射CVD法，将氢稀释甲烷作为主原料气体，通过外延生长在基底基板上制造(111)取向金刚石晶体的方法，并将生长速度设为小于3.8μm/h。由此，可稳定地提供一种通过在于规定条件下进行CVD而获得的高取向(111)金刚石基底基板上，于相同的规定条件下进行CVD而获得的NV轴为[111]取向并具有高密度的NVC的、能够应用于电子磁性器件的金刚石晶体及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112813409A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011286501.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人金泽大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明为一种形成具有氮空位中心的金刚石晶体层的金刚石衬底的制造方法，其为利用CVD法并使用包含烃气与氢气的原料气体而在基底衬底上形成金刚石晶体的方法，该方法中，为了在所述金刚石晶体的至少一部分形成所述具有氮空位中心的金刚石晶体层，在将氮气或氮化物气体混入所述原料气体的同时，对于所述原料气体所包含的各种气体的量，将烃气的量设为0.005体积％以上且6.000体积％以下；将氢气的量设为93.500体积％以上且小于99.995体积％；将氮气或氮化物气体的量设为5.0×10‑5体积％以上且5.0×10‑1体积％以下。由此，提供一种金刚石衬底的制造方法，其通过以规定的条件进行CVD，能够在基底衬底上形成一种NV轴为[111]高度取向且具有高密度的氮‑空位中心(NVC)的金刚石晶体。
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公开(公告)号：CN108400157A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
CPC classification number: C30B25/20 , C23C16/0281 , C23C16/272 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04 , H01L21/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L29/04 , H01L21/02617
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
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公开(公告)号：CN104451868B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
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