公开(公告)号：CN108400157B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN107130293A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710103267.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/04 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/1602 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。

公开(公告)号：CN107130293B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710103267.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。

公开(公告)号：CN117480283A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042067.4

申请日：2022-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明为一种金刚石基板的制造方法，其特征在于，其为通过微波等离子体CVD法、直流等离子体CVD法、热灯丝CVD法或电弧放电等离子体喷射CVD法，将氢稀释甲烷作为主原料气体，通过外延生长在基底基板上制造(111)取向金刚石晶体的方法，并将生长速度设为小于3.8μm/h。由此，可稳定地提供一种通过在于规定条件下进行CVD而获得的高取向(111)金刚石基底基板上，于相同的规定条件下进行CVD而获得的NV轴为[111]取向并具有高密度的NVC的、能够应用于电子磁性器件的金刚石晶体及其制造方法。

公开(公告)号：CN108400157A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/272 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02617

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN107130294A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710106146.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/1602 ,  C30B25/02

Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。

公开(公告)号：CN107130294B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710106146.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04

Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。

公开(公告)号：CN109659225B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201811126804.0

申请日：2018-09-26

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 池野顺一 ,  山田洋平 ,  铃木秀树 ,  野口仁

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/00 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。

公开(公告)号：CN102041551A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010226110.1

申请日：2010-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。

公开(公告)号：CN119816630A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063739.4

申请日：2023-08-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，其具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层膜或层叠膜构成的中间层的工序，使用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板的制造方法，该高品质的单晶金刚石层能够适用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。