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公开(公告)号：CN103339739B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280007073.2
申请日：2012-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: B41N1/24 , B41N1/248 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及其中使用导电浆料来同时印刷母线电极和指状电极的太阳能电池的丝网印刷板，该丝网印刷板的特征在于：丝网印刷板的指状电极开口的开口宽度小于80μm，并且丝网印刷板的母线电极开口具有封闭部分。该丝网印刷板的使用使得有可能降低制造太阳能电池的成本，防止在母线电极与指状电极之间的连接部分断裂，从而不导致屏蔽损耗的增加或者太阳能电池的美学品质，以及以高生产率来制造高可靠性的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103348489A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066540.4
申请日：2011-12-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , B41P2215/50 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了太阳能电池元件的制造方法，其可谋求提高在丝网印刷工序中形成的集电极的膜厚，且降低其电阻值，并对转换效率的提高做出贡献。当通过导电性糊的丝网印刷形成太阳能电池元件的集电极时，多次重复该丝网印刷处理。此时，使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度等于或高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。在第一次印刷的集电极上重叠进行第二次以后的丝网印刷，因此，刮涂速度越快，糊和基底的印刷板脱离越好，糊的涂布量增大，所形成的集电极的膜厚变厚。
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公开(公告)号：CN103329279A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065726.8
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池，其特征在于，具有：以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极，上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接，根据本发明，通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留，从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少，改善短路电流、开路电压，提高太阳能电池特性。此外，工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现，对于成本削减极其有效。
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公开(公告)号：CN101512778B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200780032273.2
申请日：2007-08-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/248 , H01L31/022425 , H05K1/092 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y02E10/50
Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成的，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。
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公开(公告)号：CN101506992B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780028838.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/14 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110073498B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201680090602.8
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×1018atoms/cm3以上的n型区域，以覆盖p型区域与n型区域的方式配置第1保护膜，在第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，其特征是第1保护膜与第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成的太阳能电池。由此，提供便宜且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115038825B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
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公开(公告)号：CN117286470A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241949.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时，以7＜T+Q＜67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。
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公开(公告)号：CN110121788B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115838922A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211120925.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
Abstract: 本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
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