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公开(公告)号：CN106141918A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610317737.5
申请日：2016-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及基板的制备方法。本发明提出基板的制备方法、特别是合成石英玻璃的基板的制备方法，同时使基板表面免于致命性缺陷而没有采取任何大规模装置和精密抛光板，由此与用常规设施制备相比，进一步减少缺陷和改善收率。通过抛光制备基板的方法，包括如下步骤：将基板原料各自放入下抛光板上的载体中形成的加工孔中；使上抛光板接触所述基板原料的表面，所述基板原料的表面涂覆有冲击吸收液并且使所述下抛光板旋转；和使所述上抛光板和下抛光板旋转，所述基板原料的表面伴有抛光浆料。
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公开(公告)号：CN103159250A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210553192.X
申请日：2012-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C09K3/1409 , C01F17/0043 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种用于回收氧化铈的方法。本发明特别涉及一种用于从主要由氧化铈组成的磨料废物回收氧化铈的方法，所述磨料废物源自玻璃衬底的抛光，所述方法包括以下步骤：（i）向磨料废物添加碱性物质的水溶液；（ii）向所得的溶液添加沉淀剂，从而形成主要由氧化铈组成的沉淀物，并且除去上清液；（iii）向所得的沉淀物添加酸性物质的溶液，从而使所述沉淀物为微酸性至中性；（iv）用有机溶剂洗涤该沉淀物；以及（v）干燥并且压碎沉淀物。该方法使将磨料废物再造成主要由氧化铈组成的纯磨料成为可能，可再使用该磨料来抛光与光掩模和中间掩模相关的半导体尖端技术的合成石英玻璃衬底。
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公开(公告)号：CN102516872A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110286406.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: B24B1/00 , B24B37/044 , C03C19/00 , C09G1/02
Abstract: 一种包括胶原衍生物和胶体溶液的抛光浆料，其有效抛光合成石英玻璃基板。其防止具有可被高灵敏度缺陷探测仪检测到的尺寸的缺陷的形成。
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公开(公告)号：CN101804589A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010173034.2
申请日：2010-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: B24B7/241 , B24B13/0018 , B24B41/053
Abstract: 本发明公开了一种加工半导体用人造石英玻璃基板的方法，其中使小型旋转式加工工具的抛光部件接触人造石英玻璃基板的表面，接触面积为1～500mm2，并且旋转的同时在基板表面上扫描移动，从而抛光基板表面。当利用这种方法制造人造石英玻璃，如IC等制造中重要的光刻用光掩模基板时，可以比较容易和廉价地得到具有极好平整度并且甚至能用于EUV光刻的基板。
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公开(公告)号：CN119024637A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410653073.4
申请日：2024-05-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 掩模坯基板具有152mm×152mm方形的第一和第二主表面与6.35mm的厚度，其中在通过将第一、第二主表面的图相加而获得的拟TTV图中，在第一矩形区域与第二矩形区域重合的情况下形成的十字形区域内，在拟TTV图的拟合中，当导出平面函数时情况下，排除一次成分的TTV1图的最高、最低高度之差为≤35nm，并且，当导出曲面函数时情况下，排除一次、二次成分的TTV2图的最高、最低高度之差为≤25nm，132mm×104mm的第一、第二矩形区域彼此正交，并且平行于主表面的四条边、以主表面的对角线的交点为中心。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117289541A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310736900.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于掩模坯料的衬底及其制造方法。具有152mm×152mm见方的第一和第二主表面以及6.35mm的厚度的用于掩模坯料的衬底，其中：当中心在对角线交点上的132mm×132mm正方形的范围定义为在第一主表面与第二主表面每者中的计算区域时，在第一主表面和第二主表面的至少一者的计算区域的衬底表面上，基于最小二乘平面的计算区域的衬底表面的平坦度为100nm以下，并且计算表面高度的最高值与最低值之间的差值(PV)为20nm以下，所述差值(PV)由基于最小二乘平面的使用高斯滤波器(10mm×10mm)的平滑处理之前该衬底表面的形状与平滑处理之后的形状之间的差异所表示。
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公开(公告)号：CN116111024A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211396563.8
申请日：2022-11-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及用于光学元件的窗材料、用于光学元件封装的盖、光学元件封装和光学装置。本发明的用于光学元件的窗材料由合成石英玻璃形成，所述合成石英玻璃能够经受成型加工，可以以低成本制造和具有平板形状。即使所述用于光学元件的窗材料具有平板形状，例如在用表面安装型封装(SMD PKG)密封的UV‑LED例如UVC‑LED的窗材料中，当通过窗材料时可有效地收集从光学元件发射的光，特别是具有光分布角的光，并且可实现等同于具有透镜形状例如常规的凸面形状的窗材料的光收集。此外，还可实现没有例如朗伯反射的照射不均匀的光分布。
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公开(公告)号：CN115386341A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210559455.1
申请日：2022-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨组合物。包括含有胶态二氧化硅颗粒的胶态二氧化硅、pH调节剂和螯合剂的研磨组合物以低成本和高生产率提供具有高平坦度、低缺陷和低表面粗糙度的表面的基板，并且提供具有高表面品质的基板，适合作为掩模坯料用基板例如含有SiO2作为主要组分的玻璃基板，特别地作为在EUVL中使用的掩模坯料用基板。
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公开(公告)号：CN106141918B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610317737.5
申请日：2016-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及基板的制备方法。本发明提出基板的制备方法、特别是合成石英玻璃的基板的制备方法，同时使基板表面免于致命性缺陷而没有采取任何大规模装置和精密抛光板，由此与用常规设施制备相比，进一步减少缺陷和改善收率。通过抛光制备基板的方法，包括如下步骤：将基板原料各自放入下抛光板上的载体中形成的加工孔中；使上抛光板接触所述基板原料的表面，所述基板原料的表面涂覆有冲击吸收液并且使所述下抛光板旋转；和使所述上抛光板和下抛光板旋转，所述基板原料的表面伴有抛光浆料。
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公开(公告)号：CN102314102B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110255499.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/168 , B32B38/10 , G03F1/14 , G03F1/60 , G03F7/422 , H01L21/00 , Y10T156/1116
Abstract: 通过以下方法处理一种具有抗蚀剂膜涂覆于其上的合成石英玻璃基板：将该基板浸入含萜烯的溶剂中直到抗蚀剂膜剥离，并用水冲洗该基板。
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