公开(公告)号：CN1769289A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510113286.5

申请日：2005-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 津寺贵信 ,  岩井大祐 ,  本间孝之 ,  西脇宽实 ,  田中秀二

IPC: C07F5/06

CPC classification number: C07F5/062

Abstract: 有机金属化合物精制方法及由此制得的有机金属化合物；本发明涉及一种有机金属化合物精制方法，该方法包括蒸馏要精制有机金属化合物，同时使惰性气体吹过有机金属化合物蒸气，从而从有机金属化合物中除去比有机金属化合物蒸气压高的杂质。

公开(公告)号：CN106502046B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201610791121.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  横畑敦 ,  岩井大祐 ,  木下隆裕 ,  福田洋

IPC: G03F1/84

Abstract: 本发明公开了检查存在于包括光学膜和薄膜的光掩模坯的表面部的缺陷的方法。该方法包括：选择和指定对应于光掩模坯的光学膜和薄膜的模式的用于判定缺陷的凹凸形状的标准和检查处理工序；基于指定的检查处理工序，施加检查光至包括缺陷的区域，同时保持缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离，通过该检查用光学系统将来自被检查光照射的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集；以及基于指定的用于判定的标准，从该放大图像的光强度分布判定缺陷的凹凸形状。

公开(公告)号：CN106292180A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610467574.9

申请日：2016-06-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  福田洋 ,  木下隆裕 ,  岩井大祐 ,  横畑敦

IPC: G03F1/84 ,  G01N21/892

CPC classification number: G03F1/36 ,  G01B11/24 ,  G01N21/9501 ,  G01N2201/0638 ,  G03F1/84 ,  G01N21/892 ,  G01N2021/8924

Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法和制备方法；利用检查用光学系统检查在具有在基底上形成的至少一个薄膜的光掩模坯的表面部分上存在的缺陷的方法。该方法包括设定缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离为离焦量，通过物镜对缺陷施加检查光，通过物镜将来自用检查光照射的区域的反射光作为放大图像聚集，识别放大图像的光强度变化部分，并且基于放大图像的光强度变化部分的光强度上的变化测定缺陷的凹凸形状。

公开(公告)号：CN105549322A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510695980.6

申请日：2015-10-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  木下隆裕 ,  岩井大祐 ,  福田洋 ,  横畑敦

IPC: G03F1/84

Abstract: 评价光掩模坯料的缺陷尺寸。用检验光照射检验-目标光掩模坯料并且通过检验光学系统的物镜将用检验光照射的检验-目标光掩模坯料的区域的反射光作为该区域的放大图像被聚集。接着，识别该放大图像的光强度分布范围中的强度变化部分。接下来，得到该强度变化的光强度的差和得到该强度变化部分的宽度作为缺陷的表观宽度。接着，基于显示光强度的差、缺陷表观宽度和缺陷的实际宽度之间的关系的预定的转换公式计算缺陷宽度，并且评价缺陷宽度。

公开(公告)号：CN1749260A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510113285.0

申请日：2005-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 津寺贵信 ,  田中秀二 ,  岩井大祐 ,  西脇宽实 ,  本间孝之

IPC: C07F5/06

CPC classification number: C07F5/062

Abstract: 本发明涉及一种含有以下杂质含量的高纯三甲基铝：有机硅组分≤0.5ppm，氯组分≤20ppm，烃类组分≤1,000ppm，Ca≤0.05ppm，Fe≤0.05ppm，Mg≤0.05ppm，Na≤0.05ppm，Si(非有机硅组分的硅组分)≤0.07ppm，Zn≤0.05ppm，和S≤0.05ppm。通过蒸馏和蒸发从粗三甲基铝中除去杂质制得高纯三甲基铝。

公开(公告)号：CN1493716A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03158592.2

申请日：2003-09-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 平原和弘 ,  津寺贵信 ,  岩井大祐

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  G01N21/71

CPC classification number: G01N21/714

Abstract: 一种有机金属化合物的蒸发和进料系统，包括连接载气源和装有有机金属化合物MO的容器并且其上具有载气质量流量控制器的载气进料流道；连接容器和在线监测器的用于输送MO气体的MO气体流道；连接在线监测器和ICP摄谱仪样品入口的样品气流道；连接充有标定用标准气的气体钢瓶和样品气流道并且具有标准气质量流量控制器的标准气流道；以及与标准气流道相连并且其上具有稀释气质量流量控制器的稀释气流道，该流道用于输送稀释气从而调节标准气的浓度。