公开(公告)号：CN102574691B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201080046255.1

申请日：2010-07-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑谷伸一 ,  小黑晓二 ,  久米史高

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  Y10T29/53796 ,  Y10T29/53961

Abstract: 本发明提供一种多晶硅的制造方法，其能够在短时间内使硅芯线与芯线支架获得充分的接合强度，其结果是能够缩短反应初期的生长速度抑制期间。本发明的芯线支架(20)中，一端侧为具有圆锥台状的斜面的形状，在该端部设有开口部(22)，且形成有用于插入并保持硅芯线(5)的空洞(21)。在硅芯线(5)的表面通过西门子法使多晶硅(6)进行气相生长，进行多晶硅棒的制造。在开口部(22)附近的圆锥台状斜面上从开口部附近的外周面朝向空洞(21)形成有环状狭缝(23a～c)作为绝热层。该环状狭缝作为绝热部(绝热层)发挥作用，抑制来自硅芯线(5)或多晶硅(6)的传导热及辐射热向金属电极的逸散，并对芯线支架(20)的一端侧进行加热。

公开(公告)号：CN102985364A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180029911.1

申请日：2011-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  小黑晓二 ,  黑谷伸一 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/035

CPC classification number: F26B5/042 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4407 ,  F26B5/12 ,  F28G13/00

Abstract: 钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。

公开(公告)号：CN102498063A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040911.7

申请日：2010-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  小黑晓二 ,  清水孝明 ,  黑泽靖志 ,  久米史高

IPC: C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02595 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0236 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  Y02P20/124 ,  Y02P20/129

Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。