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公开(公告)号：CN102637703A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024736.3
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取设备和用于制造固态图像拾取设备的方法。提供一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包括：包含光电转换部的基板；和被布置于基板上的波导，所述波导与光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤和第二步骤中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，在覆层中的开口中形成要被形成为芯部的部件，并且，在第一步骤之后，在第二步骤中，在基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率比第一步骤中的该比率高的条件下，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，形成要被形成为芯部的部件。
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公开(公告)号：CN1229874C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和发电装置，该光电元件具有层叠结构，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中，所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN1499648A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102946.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/0392 , C23C14/086 , C23C28/044 , C23C28/30 , C23C28/323 , C23C28/324 , C23C28/345 , C25D9/04 , H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/03921 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种氧化锌膜和使用它的光电元件、以及氧化锌膜的形成方法。该氧化锌膜在表面上具有由凸部组成的多个结构物，该凸部具有第一面和第二面以一根曲线连接的结构，该结构物具有的该第一面的平均倾斜角的大小在30度以上60度以下的范围，该第二面的平均倾斜角的大小在10度以上35度以下的范围的凸部，占上述多个凸部的半数以上。由此，可以提高作为光电元件的光封闭层所使用的氧化锌膜的特性及耐久性，同时可以便宜地形成。
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公开(公告)号：CN1476052A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03178616.2
申请日：2003-07-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 一种叠层体形成方法是，以具有：在基体上边形成中间层的第1工序；和在所述中间层上边形成与所述基体的粘附力比所述中间层小且反射率比所述中间层大的金属层的第2工序，所述第2工序的途中增加所述金属层的形成速度为特征。由此，提供具有良好特性，即使在高温下、潮湿下、或连续长时间使用下等也有优良的反射特性和粘附性的叠层体的形成方法和光电器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1215095A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN98103392.X
申请日：1998-07-09
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 近藤隆治
IPC: C23C16/40
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/022483 , Y02E10/50 , Y10T428/24 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供了一种在氧化锌晶体(103)晶面上具有X－射线衍射峰的氧化锌薄膜、一种具有该氧化锌薄膜的光电转换元件、和它们的生产方法。通过这些方法,氧化锌薄膜的晶体组织增加,并向该光电转换元件提供了优异的短路电流密度(Jsc)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637703B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210024736.3
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取设备和用于制造固态图像拾取设备的方法。提供一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包括：包含光电转换部的基板；和被布置于基板上的波导，所述波导与光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤和第二步骤中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，在覆层中的开口中形成要被形成为芯部的部件，并且，在第一步骤之后，在第二步骤中，在基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率比第一步骤中的该比率高的条件下，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，形成要被形成为芯部的部件。
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公开(公告)号：CN1532951A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410008584.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C25D9/04 , H01L31/056 , H01L31/1864 , Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种氧化锌膜的处理方法和使用它的光电元件的制造方法。其中，在含氧的氮气或不活泼气体的气氛中在150℃以上、400℃以下的温度下对从水溶液电化学析出的氧化锌膜进行加热处理，可以获得无损氧化锌膜的光透射率的电阻值低的氧化锌膜。
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公开(公告)号：CN1144901C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN97110926.5
申请日：1997-03-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C25D5/10 , C25D9/08 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1828 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/543 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 用电解法稳定制造可极好粘接到衬底上的氧化锌薄膜的方法，特别是用作光电转换器件的光约束层的氧化锌薄膜，该方法是将导电衬底与电极浸在水溶液中，在浸在水溶液中的导电衬底与电极之间加电流，以在所述导电衬底上形成氧化锌膜，所述水溶液至少包含硝酸根离子，锌离子和碳水化合物，所述碳水化合物选自葡萄糖、果糖、麦芽糖、蔗糖、糊精、淀粉、或它们的混合物，所述碳水化合物的量在0.001至300g/l范围内，同时保持所述水溶液的温度至少在50℃，所述电流的电流密度是10mA/dm2至10A/m2。
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公开(公告)号：CN1117888C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98103392.X
申请日：1998-07-09
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 近藤隆治
IPC: C23C16/40
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/022483 , Y02E10/50 , Y10T428/24 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供了一种在氧化锌晶体(103)晶面上具有X-射线衍射峰的氧化锌薄膜、一种具有该氧化锌薄膜的光电转换元件、和它们的生产方法。通过这些方法，氧化锌薄膜的晶体组织增加，并向该光电转换元件提供了优异的短路电流密度(Jsc)。
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公开(公告)号：CN1284749A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种具有层叠结构的光电元件,包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层,其中,所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。
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