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公开(公告)号：CN103298768B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180062602.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人山梨大学
IPC: C04B35/468 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B41J2/14233 , C04B35/26 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63416 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , G02B27/0006 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171
Abstract: 本发明提供实现高压电性能和高居里温度的压电材料。此外，提供使用压电材料的压电元件、排液头、超声波马达和除尘装置。该压电材料包括由下述通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物：xBaTiO3-yBiFeO3-zBi(M0.5Ti0.5)O3(1)，其中M表示从Mg和Ni中选择的至少一种元素，x满足0.25≤x≤0.75，y满足0.15≤y≤0.70，z满足0.05≤z≤0.60，并且满足x+y+z=1。
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公开(公告)号：CN103298768A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180062602.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人山梨大学
IPC: C04B35/468 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B41J2/14233 , C04B35/26 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63416 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , G02B27/0006 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171
Abstract: 本发明提供实现高压电性能和高居里温度的压电材料。此外，提供使用压电材料的压电元件、排液头、超声波马达和除尘装置。该压电材料包括由下述通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物：xBaTiO3-yBiFeO3-zBi(M0.5Ti0.5)O3 (1)，其中，M表示从Mg和Ni中选择的至少一种元素，x满足0.25≤x≤0.75，y满足0.15≤y≤0.70，z满足0.05≤z≤0.60，并且满足x+y+z=1。
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公开(公告)号：CN102373032A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226208.1
申请日：2011-08-09
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: C09K3/00
CPC classification number: B32B7/02 , B32B2307/734 , C01G53/40 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/0058 , H05K2201/068 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有负的热膨胀性质的热膨胀抑制部件和具有小的热膨胀的金属基抗热膨胀性部件。更具体地，本发明提供热膨胀抑制部件，其至少包括由以下通式(1)表示的氧化物，和抗热膨胀性部件，其包括在20℃下具有正的线膨胀系数的金属和至少包括由以下通式(1)表示的氧化物的固体，该金属与该固体彼此接合：(Bi1-xMx)NiO3(1)其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN101405870B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200780009802.7
申请日：2007-03-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。
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公开(公告)号：CN101548389A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780045002.0
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/66969
Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112166018B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201980035063.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供使用直接造型系统制造实现了机械强度、耐磨性和机械加工性的改善的陶瓷制品的方法和陶瓷制品。该制造方法包括以下步骤：(i)在基底上配置含有陶瓷作为主要成分的粉末；(ii)用能量束照射所配置的粉末的一部分或全部以使所述粉末熔融并凝固，由此获得中间造型制品；(iii)使所述造型制品吸收含有金属成分的液体以用其浸渍所述造型制品；和(iv)对已吸收了含有金属成分的液体的造型制品进行热处理。
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公开(公告)号：CN114633344A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210310657.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B28B1/30 , C04B35/50 , C04B35/106 , C04B35/488 , C04B35/195 , C04B35/14 , B33Y10/00 , B32B18/00 , B33Y70/10 , C04B35/117 , C04B35/119 , C04B35/653 , C04B35/64 , C04B35/44
Abstract: 本发明提供陶瓷制造用粉体、陶瓷制造物及其制造方法。提供用于激光制造的粉体及其使用方法，该用于激光制造的粉体可稳定地制造并且可由其可获得确保制造精度的三维制造物。陶瓷制造用粉体和其中使用了该粉体的粉体使用方法，该粉体用于通过在使用激光的照射部中重复地依次烧结或熔融并凝固粉体而获得制造物，其中该粉体包括多种组合物，所述多种组合物中至少一种组合物是与其它组合物相比相对强地吸收激光的吸收体，并且该吸收体的至少一部分通过用激光照射而改变为相对弱地吸收激光的不同组合物。
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公开(公告)号：CN110944814B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201880048475.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供用于激光制造的粉体及其使用方法，该用于激光制造的粉体可稳定地制造并且可由其可获得确保制造精度的三维制造物。陶瓷制造用粉体和其中使用了该粉体的粉体使用方法，该粉体用于通过在使用激光的照射部中重复地依次烧结或熔融并凝固粉体而获得制造物，其中该粉体包括多种组合物，所述多种组合物中至少一种组合物是与其它组合物相比相对强地吸收激光的吸收体，并且该吸收体的至少一部分通过用激光照射而改变为相对弱地吸收激光的不同组合物。
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公开(公告)号：CN111436197A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201880069821.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供造型物的制造方法，其包括通过进行一次或多次的下述步骤来形成造型物：形成粉末层的步骤，该粉末层含有包含无机化合物粉末的材料粉末，和对所述粉末层的表面的规定区域照射能量束从而使所述材料粉末熔融/凝固的步骤。在使所述材料粉末熔融/凝固的步骤中，通过改变所述能量束的输出功率、所述粉末层的表面与所述能量束的焦点的相对位置和所述能量束的扫描速度中的至少一个来分别形成富非晶区域和富结晶区域。
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公开(公告)号：CN102341912B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080009985.4
申请日：2010-03-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。
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