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公开(公告)号：CN104916654A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510103713.5
申请日：2015-03-10
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14681 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态图像捕获装置、其制造方法和照相机。固态图像捕获装置包括：包含第一导电类型的第一区域的半导体基板；第二导电类型的电荷积累区域；各自输出基于在电荷积累区域中积累的电荷的信号的晶体管；在比电荷积累区域深且比第一区域浅的位置中形成以与第一区域电导通的第一导电类型的第二区域，该第二区域的杂质浓度比第一区域的杂质浓度高；以及在第二区域与第一区域之间形成的第二导电类型的第三区域，其中，第二区域在平面图中跨包含两个或更多个晶体管的区域形成，并且向所述两个或更多个晶体管中的每一个供给电流。
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公开(公告)号：CN102637704B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210027705.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。
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公开(公告)号：CN102637702A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102544036A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110410224.6
申请日：2011-12-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374 , G03B17/00
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14607 , H01L27/1461
Abstract: 本发明涉及固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及照相机。固态图像传感器包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区被布置为与第一半导体区的底面接触并且用作电荷蓄积区域；第三半导体区，所述第三半导体区包括由第二半导体区包围的侧面；与第二半导体区分隔地布置的第二导电类型的第四半导体区；以及传递栅极，所述传递栅极用于形成用于将第二半导体区中蓄积的电荷传递到第四半导体区的沟道。第三半导体区是第一导电类型的半导体区和杂质浓度比第二半导体区中的杂质浓度低的第二导电类型的半导体区中的一个。
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公开(公告)号：CN101635301A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910150985.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/142 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14603 , H01L27/14645 , H04N5/37457
Abstract: 提供了一种光电转换装置，在该光电转换装置中，至少将第一金属配线层和第二金属配线层按照所指定的顺序布置在半导体基板上，该半导体基板包含以矩阵排列多个像素的像素区域，每个像素至少包含光电转换部和放大晶体管，其中，第二金属配线层包含各自被配置为向至少两个像素列的放大晶体管供给电源电压的电源线，以及其中没有电源线的像素列的放大晶体管通过第一金属配线层从电源线接收电源电压。
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公开(公告)号：CN100382326C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410056239.7
申请日：2004-08-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609
Abstract: 本发明提供与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度的放大型固体摄像装置以及具备固体摄像装置的照相机，该固体摄像装置排列了多个单位像素，该单位像素至少具备光电二极管和放大用MOS晶体管，该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部，并且，在该放大用MOS晶体管的沟道区，形成杂质浓度比第1半导体区高的第1导电类型的第3半导体区。
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公开(公告)号：CN114649430B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210256626.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F77/14 , H10F39/18 , H10F30/225
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN114649431A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256628.2
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN114649430A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256626.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN109640011B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811153284.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 篠原真人
Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。作为实施例的固态成像设备包括：多个像素，每个像素包括至少一个光电转换单元和放大晶体管，放大晶体管具有第一输入节点、第一主节点和第二主节点，第一输入节点电连接到光电转换单元；晶体管，具有第二输入节点、第三主节点和第四主节点，并且具有与放大晶体管相同的极性；至少一条信号线，所述多个像素中的每个像素的第一主节点电连接到信号线；以及电流源，其电连接到信号线，并且电源电压被施加于第三主节点，第四主节点和第二主节点彼此电连接，第一主节点和第二输入节点彼此电连接。
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