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公开(公告)号：CN1029993C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1244163C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN99102941.0
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/02 , H01L31/04 , H01L31/075 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，其中：硅晶粒为柱状，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下，归于Si-H键的氢含量C1原子数%、和归于Si-H2键的氢含量C2原子数%有C1/C2≥0.8且3≤C1+C2≤8原子数%的关系，晶粒的较长方向与基片表面法线方向形成的角度不大于8°，从光电导薄膜的X光衍射峰中的硅(220)峰计算得到的硅晶粒平均粒径为20nm到200nm，所述光电导薄膜含非晶硅，硅晶粒与整个薄膜的体积比R≥0.5。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN1147005C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99111477.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0256 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1109365C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN98125069.6
申请日：1998-10-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/04 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03685 , H01L31/048 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在一个背反射层上具有特别的透明导电层的一种光电元件，所说的透明导电层含有氧化锌材料，有光入射侧面区，并且此区有多个被安置了彼此互相连接的圆弧的不同截面，其中的每一个圆弧具有的曲率半径范围为300到6微米，其从弯曲的中心看的仰角范围是30°到155°，所述的截面包括由在截面的整个区域的80%或以上部分中的多个圆弧组成的区域。
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公开(公告)号：CN1284749A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种具有层叠结构的光电元件,包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层,其中,所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1228617A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99102941.0
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/02 , H01L31/04 , H01L31/075 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜,用恒定光电流方法测量时,光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜,没有光退化,有很好的光电导率,提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN1049870A
公开(公告)日：1991-03-13
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1299366C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410008588.1
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种叠层型光生伏打元件，由从光的入射侧起依次叠层的至少一组第1光生伏打元件和第2光生伏打元件构成，其特征在于：在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间，配有将它们电导通连接的选择反射层，该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。
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公开(公告)号：CN1269225C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03158850.6
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1542987A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031301.7
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 狩谷俊光
IPC: H01L31/04 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 在包括在支撑体102上顺序叠层了金属层103，下部透明导电层104，由非单晶硅构成的第1n层105，由微晶硅构成的第1i层106，由非单晶硅构成的第1p层108，由非单晶硅构成的第2n层109，由微晶硅构成的第2i层110，由非单晶硅构成的第2p层112的构造的叠层型光电元件中，使得在第1i层106和第2i层110中含有磷(P)，当第1i层106中磷对硅的含量比为R1，第2i层110中磷对硅的含量比为R2时，调整为R2＜R1，由此能够以高成品率制造具有高变换效率的光电元件。
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