公开(公告)号：CN1315587A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN01111320.0

申请日：2001-01-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  金井正博 ,  幸田勇藏 ,  宍户健志

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32532

Abstract: 一种成膜装置,包括：一个真空腔,一个能量施加电极,一个通过它可以把原材料气体引入所述真空腔的原材料气体引入部分,和一个通过它将所述的真空腔排空的排气部分,所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的用于成膜的基底相对,其特征在于：至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件,而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式,其中,a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。一种采用所述成膜装置的成膜方法。

公开(公告)号：CN1186347A

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：CN97122850.7

申请日：1997-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部正太郎 ,  藤冈靖 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  芳里直 ,  矢岛孝博

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。