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公开(公告)号：CN104969362B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201380063900.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K2201/0108 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种反射率低、低吸收、透过率高的带表面电极的透明导电玻璃基板以及使用该表面电极的、光电转换效率比以往高的薄膜太阳能电池。通过在透光性玻璃基板上以膜厚50nm～150nm形成作为第一层的波长550nm时的折射率为1.6～1.8的低折射率透明薄膜，在该折射率透明薄膜上依次形成作为第二层的氧化铟系的非晶质透明导电膜、作为第三层的氧化锌系的晶质透明导电膜的凹凸膜，从而形成带表面电极的透明导电玻璃基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105308206A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380058230.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , C09D5/24 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01J37/3429 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、光吸收率低、并且光学限制效果也优异的透明导电膜层叠体和其制造方法、以及使用该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池和其制造方法。制成一种透明导电膜层叠体，具有如下结构：在透光性基板上在表面粗糙度(Ra)为1.0nm以下的状态下形成的氧化铟系透明导电膜(I)、和在氧化铟系透明导电膜(I)上形成的氧化锌系透明导电膜(II)，作为层叠体的表面粗糙度(Ra)为30nm以上、且雾度率为8％以上、并且电阻值为30Ω/□以下，对于波长400nm～1200nm的范围的光的吸收率以平均值计为15％以下。
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公开(公告)号：CN103069045B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180041008.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/03765 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内制造优良的透明导电膜、使高效薄膜太阳能电池的生产效率得到提高的透明导电膜的制造方法以及薄膜太阳能电池的制造方法。在作为溅射气体种类采用Ar和H2的混合气体并且混合气体的摩尔比为H2/(Ar＋H2)＝0.01～0.43、溅射气压为2.0～15.0Pa、基板温度为300～600℃的条件下，使用以氧化锌作为主要成分的氧化物烧结体靶，在透光性基板（1）上形成透明导电膜（2）。并且，将非晶质光电转换单元（3）、背面电极（5）依次形成于透明导电膜（2）上。
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公开(公告)号：CN104969362A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380063900.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K2201/0108 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种反射率低、低吸收、透过率高的带表面电极的透明导电玻璃基板以及使用该表面电极的、光电转换效率比以往高的薄膜太阳能电池。通过在透光性玻璃基板上以膜厚50nm～150nm形成作为第一层的波长550nm时的折射率为1.6～1.8的低折射率透明薄膜，在该折射率透明薄膜上依次形成作为第二层的氧化铟系的非晶质透明导电膜、作为第三层的氧化锌系的晶质透明导电膜的凹凸膜，从而形成带表面电极的透明导电玻璃基板。
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公开(公告)号：CN103796970A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044506.1
申请日：2012-07-03
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C30B1/02 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。
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公开(公告)号：CN102298986A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110186615.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/048 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B32B3/30 , B32B9/04 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C17/3644 , C03C17/3655 , C03C17/3678 , C03C2217/77 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/077 , H01L31/1884 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供光电转换效率高的带有表面电极的透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法。通过形成氧化铟类的非晶体透明导电膜作为基底膜(21)，在其上形成氧化锌类的晶体透明导电膜，形成由良好的凹凸结构构成的表面电极(2)。结果能够提供光封闭效果更高的表面电极(2)，得到光电转换效率更高的薄膜太阳能电池(10)。
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