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公开(公告)号：CN1383240A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121877.3
申请日：2002-04-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/2213
Abstract: 提供一种制造具有大的半值宽度和高的拐点电平的脊峰波导型半导体激光器的方法。首先,脊的振荡波长的有效折射率neff1和在脊的两侧的每一侧上的部分的振荡波长的有效折射率neff2之间的有效折射率差Δn表示为Δn =neff1－neff2,脊宽度表示为W。在这种假设下,在X－Y坐标上(X轴:W,Y轴:Δn)设置下列三个关系式的常数“a”、“b”、“c”和“d”。第一关系式表示为Δn a×W+b,这里“a”和“b”是确定拐点电平的常数。第二关系式表示为W≥c，这里“c”是脊形成时的最小脊宽度确定的常数。第三个关系式表示为Δn≥d,这里“d”是通过所需的半宽度值θpara确定的常数。因此以Δn和W满足上述三个关系式(1)、(2)和(3)的方式设置下列至少其中之一,即绝缘薄膜的种类和厚度、在绝缘薄膜上的电极薄膜的厚度、脊高度、以及上包层的位于脊的两侧的每一侧上的剩余层部分的厚度。
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公开(公告)号：CN1231533A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN99105611.6
申请日：1999-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L29/045 , H01L33/007 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/32341
Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。
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公开(公告)号：CN101055972A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710103279.6
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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公开(公告)号：CN1842947A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000925.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
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公开(公告)号：CN1180257A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN97117998.0
申请日：1997-08-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/10 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/327 , H01S2301/18
Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8,该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517888C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710103279.6
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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公开(公告)号：CN100376064C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1203597C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02800544.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。
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公开(公告)号：CN1557042A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN100541815C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN99105611.6
申请日：1999-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L29/045 , H01L33/007 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/32341
Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底，可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2，在台面部分12的相对两侧的位置上，将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11-20)取向表面延伸，并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理，以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。
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