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公开(公告)号:CN1174568C
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN98115674.6
申请日:1998-07-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04B10/12
CPC classification number: H04B10/43 , G02B6/4214 , G02B6/4246
Abstract: 提供这样一种光通信设备和方法,以实现结构的简化和尺寸减小,提高光发射装置与光传输介质之间的光耦合效率,以及获得令人满意状况下的光通信。光纤与光发射器和光接收器之间在没有光学系统的条件下完成二者之间光耦合,为的是实现结构的简化和尺寸减小。在光发射器中心C偏离中心轴O放置时,光纤一个端面上的发光图形短轴就与端面的径向一致。从而提高光发射器与光纤之间的光耦合效率。
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公开(公告)号:CN1457539A
公开(公告)日:2003-11-19
申请号:CN02800544.9
申请日:2002-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14),第一包覆层(16),有源层(20),第二包覆层(24),第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B),第一包覆层(14),有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构,第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40),绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面,另外,从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42),金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。
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公开(公告)号:CN1203597C
公开(公告)日:2005-05-25
申请号:CN02800544.9
申请日:2002-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14),第一包覆层(16),有源层(20),第二包覆层(24),第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B),第一包覆层(14),有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构,第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40),绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面,另外,从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42),金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。
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公开(公告)号:CN1211116A
公开(公告)日:1999-03-17
申请号:CN98115674.6
申请日:1998-07-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04B10/12
CPC classification number: H04B10/43 , G02B6/4214 , G02B6/4246
Abstract: 提供这样一种光通信设备和方法,以实现结构的简化和尺寸减小,提高光发射装置与光传输介质之间的光耦合效率,以及获得令人满意状况下的光通信。光纤与光发射器和光接收器之间在没有光学系统的条件下完成二者之间光耦合,为的是实现结构的简化和尺寸减小。在光发射器中心C偏离中心轴O放置时,光纤一个端面上的发光图形短轴就与端面的径向一致。从而提高光发射器与光纤之间的光耦合效率。
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