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公开(公告)号：CN100440652C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610099816.X
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 本发明涉及半导体激光器驱动方法和光盘设备，该方法使用由高频电流调制直流电流而产生的驱动电流来驱动半导体激光器，其特征是：当上述半导体激光器的平均光输出低于10mW时，上述高频电流的频率被确定为满足fr≥fm≥fr/5，其中fm是上述高频电流的频率，而fr是上述半导体激光器的弛豫振荡频率。
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公开(公告)号：CN100365717C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510089716.4
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 本发明涉及半导体激光器驱动方法和光盘设备，该方法使用由高频电流调制直流电流而产生的驱动电流来驱动半导体激光器，其特征是：矩形波被用作上述驱动电流的波形，且上述驱动电流的脉冲宽度被确定为满足Td+1/fr≤Wp≤Td+2/fr，其中Wp是上述脉冲宽度，而Td是上述半导体激光器的振荡延迟时间。
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公开(公告)号：CN1921246A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610099816.X
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 本发明涉及半导体激光器驱动方法和光盘设备，该方法使用由高频电流调制直流电流而产生的驱动电流来驱动半导体激光器，其特征是：当上述半导体激光器的平均光输出低于10mW时，上述高频电流的频率被确定为满足fr≥fm≥fr/5，其中fm是上述高频电流的频率，而fr是上述半导体激光器的弛豫振荡频率。
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公开(公告)号：CN1237526C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN98116757.8
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 一种半导体激光器驱动方法，它可用于光盘设备，例如使之有可能在半导体激光器被RF调制时，借助于在平均光输出偏离表示半导体激光器噪声相对强度对平均光输出特性的曲线中出现的峰值的条件下驱动半导体激光器，从而在低噪声条件下使用半导体激光器。更具体地说，RF调制条件(频率、幅度和波形)被选定为例如使峰值相对于具体使用的平均光输出P*不进入P*±0.5mW的范围。
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公开(公告)号：CN1104765C
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN97117998.0
申请日：1997-08-29
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/10 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/327 , H01S2301/18
Abstract: AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8，该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921245A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610099815.5
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 本发明涉及半导体激光器驱动方法和光盘设备，该方法使用由高频电流调制直流电流而产生的驱动电流来驱动半导体激光器，其特征是：当上述半导体激光器的平均光输出高于10mW时，上述高频电流的频率被确定为满足fr≥fm≥fr/10，其中fm是上述高频电流的频率，而fr是上述半导体激光器的弛豫振荡频率。
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公开(公告)号：CN1747012A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510089716.4
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 本发明涉及半导体激光器驱动方法和光盘设备，该方法使用由高频电流调制直流电流而产生的驱动电流来驱动半导体激光器，其特征是：矩形波被用作上述驱动电流的波形，且上述驱动电流的脉冲宽度被确定为满足Td+1/fr≤Wp≤Td+2/fr，其中Wp是上述脉冲宽度，而Td是上述半导体激光器的振荡延迟时间。
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公开(公告)号：CN1112748C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN98104289.9
申请日：1998-01-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01S5/0264 , H01S5/0287 , H01S5/10
Abstract: 通过使在半导体激光器的光学谐振腔的后端表面的反射Rr尽可能地大，能够获得减小的阈电流、较低的消耗功率等等。在安置半导体激光器(13)的底座(21)上形成用来控制半导体激光器(13)的输出的监视光电探测器(11)。使光电探测器(11)安置在上述的半导体激光器(13)放射主光束的端表面的前头。
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公开(公告)号：CN1207551A
公开(公告)日：1999-02-10
申请号：CN98116757.8
申请日：1998-08-04
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/127 , B82Y20/00 , G11B7/126 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S2301/02
Abstract: 一种半导体激光器驱动方法,它可用于光盘设备,例如使之有可能在半导体激光器被RF调制时,借助于在平均光输出偏离表示半导体激光器噪声相对强度对平均光输出特性的曲线中出现的峰值的条件下驱动半导体激光器,从而在低噪声条件下使用半导体激光器。更具体地说,RF调制条件(频率、幅度和波形)被选定为例如使峰值相对于具体使用的平均光输出P*不进入P*±0.5mW的范围。
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公开(公告)号：CN1190809A
公开(公告)日：1998-08-19
申请号：CN98104289.9
申请日：1998-01-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S3/00
CPC classification number: H01S5/0264 , H01S5/0287 , H01S5/10
Abstract: 通过使在半导体激光器的光学谐振腔的后端表面的反射Rr尽可能地大,能够获得减小的阈电流、较低的消耗功率等等。在安置半导体激光器(13)的底座(21)上形成用来控制半导体激光器(13)的输出的监视光电探测器(11)。使光电探测器(11)安置在上述的半导体激光器(13)放射主光束的端表面的前头。
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