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公开(公告)号：CN105246856A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201580000813.3
申请日：2015-03-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , B28B3/003 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/22 , H01L29/78609 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN101128280A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006147.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K26/40
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K2103/42 , B23K2103/50
Abstract: 为了易于控制激光脉冲宽度和进行高精度加工，依照本发明的通过激光烧蚀加工材料的方法的特征为：当采用沿水平轴以皮秒描绘的激光脉冲宽度和沿垂直轴以J/cm2描绘的烧蚀阈值的双对数图表示激光脉冲宽度与烧蚀阈值之间的关系时，具有双对数图显示出斜度不大于0.5的直线形状的线的区域的材料通过具有在该区域内的激光脉冲宽度的脉冲激光束来加工。
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公开(公告)号：CN110621637B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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公开(公告)号：CN109219890B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN110621637A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219890A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN107001146A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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公开(公告)号：CN110062961B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780076451.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109476549B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780044470.X
申请日：2017-02-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
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公开(公告)号：CN110300738B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201780086578.5
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相具有比所述第一晶相中的Zn含量更高的Zn含量，其中所述第二晶相包含具有3μm～50μm的平均长轴尺寸并具有1.5～50的平均长径比的粒子，所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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