-
公开(公告)号：CN111263833A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068736.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。
-
公开(公告)号：CN102906314B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180025287.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002
Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。
-
公开(公告)号：CN102859050B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017185.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。
-
公开(公告)号：CN102272359B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080004316.8
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
-
公开(公告)号：CN101451265A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810169408.6
申请日：1999-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B11/00 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , Y10T428/265
Abstract: 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm－2的平面平均位错密度，2.5－20.0×1015cm－3的碳浓度，2.0－20.0×1016cm－3的硼浓度，最多为1×1017cm－3的除碳和硼外的杂质浓度，5.0－10.0×1015cm－3的EL2浓度，1.0－5.0×108Ωcm的电阻率，及最大为1.0×10－5的光弹性分析测得的平均残余应变。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111356794B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201880074748.2
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓晶体基板，所述氮化镓晶体基板具有50mm以上且155mm以下的直径并且具有300μm以上且800μm以下的厚度，并且在其外缘的一部分中包括平坦部和缺口部中的任一者。所述氮化镓晶体基板含有2×1017cm‑3以上且4×1018cm‑3以下的浓度的氧原子、硅原子和载流子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述氮化镓晶体基板具有1000cm‑2以上且5×107cm‑2以下的平均位错密度。
-
公开(公告)号：CN111263833B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880068736.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。
-
公开(公告)号：CN104109906A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410171993.9
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
-
公开(公告)号：CN102859050A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017185.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。
-
公开(公告)号：CN102272359A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004316.8
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.031 seconds)
