公开(公告)号：CN103843158B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3‑12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

公开(公告)号：CN1993834B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200680000560.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)-面XRD半峰全宽。

公开(公告)号：CN100483627C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。

公开(公告)号：CN1977366A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000383.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  樱田隆 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。

公开(公告)号：CN1577743A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1－xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。