公开(公告)号：CN102084412B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980126164.6

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  福原升 ,  长谷川彰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  G02F2203/01

Abstract: 本发明是提供一种有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(101A)具有透明基板(10)、形成在透明基板上的透明布线(LG、LD、LP、L1、L2等)、覆盖透明布线的至少一部分的透明半导体层(44)、覆盖布线及透明半导体层(44)的至少一部分的透明绝缘膜(40、50)。布线包括在行列方向上以相互交叉的方式延伸的主布线(41的一部分等)、和从该主布线分支而与各像素(101a)中的元件连接的副布线(41的一部分、42、43等)，这些布线利用例如ZTO或ITO等半导体材料来形成。

公开(公告)号：CN103608485A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280030205.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰

IPC: C23C16/42 ,  B32B9/00 ,  C23C16/50 ,  G02B1/10 ,  H01L31/042 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: C09D5/00 ,  B32B9/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  H01L31/0481 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H05K7/06 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。

公开(公告)号：CN101401169B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200780008594.9

申请日：2007-03-15

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 服部武司 ,  长谷川彰 ,  重里有三

IPC: H01B5/14 ,  C23C14/58 ,  C01G19/00 ,  C23C14/34 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C01G9/02 ,  C01G19/00 ,  C01G19/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种导电性及蚀刻特性优异的透明导电膜及其制造方法。透明导电膜含有Zn、Sn和O，Zn相对于Zn与Sn合计量的摩尔比Zn/(Zn+Sn)为0.41～0.55，且为非晶态。透明导电膜的制造方法包括使用含有Zn、Sn和O，Zn相对于Zn与Sn合计量的摩尔比Zn/(Zn+Sn)为0.53～0.65的烧结体作为靶，在惰性气体气氛下进行溅射的工序。

公开(公告)号：CN102067247A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123679.0

申请日：2009-06-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰

IPC: H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明提供一种透明导电膜和其制造方法。透明导电膜的制造方法包含使用烧结体作为靶，利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序，在此，烧结体含有Zn、Sn及O，Sn的摩尔数相对Sn的摩尔数和Zn的摩尔数之和的比(Sn/(Sn+Zn))为0.7以上且0.9以下的范围。

公开(公告)号：CN104220249B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380016250.8

申请日：2013-03-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/048 ,  H05B33/04

CPC classification number: G02F1/1339 ,  B32B15/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2439/40 ,  B32B2439/60 ,  C04B35/565 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  C23C28/44 ,  G02F2201/501 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/049 ,  H01L31/055 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明的层叠膜气体阻隔性具备基材及形成于基材的至少1个面的薄膜层，薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示薄膜层的膜厚方向上的自薄膜层表面起的距离与距离的位置的薄膜层中所含的硅原子比、氧原子比及碳原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有以下条件(i)～(iii)：(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在薄膜层膜厚方向上的90％以上的区域中，满足下式(1)表示的条件(氧原子比)＞(硅原子比)＞(碳原子比)……(1)；(ii)碳分布曲线具有至少1个极值；(iii)碳分布曲线中的碳原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at％以上，并且，根据碳分布曲线求出的碳原子比的平均值为11at％以上21at％以下，薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。

公开(公告)号：CN103608485B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201280030205.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/50 ,  G02B1/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L31/048

CPC classification number: C09D5/00 ,  B32B9/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  H01L31/0481 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H05K7/06 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少1层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。

公开(公告)号：CN102387920B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080015879.7

申请日：2010-04-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰 ,  黑田俊也 ,  石飞昌光 ,  真田隆 ,  田中利彦

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/085 ,  B32B15/09 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  C23C16/42 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/042 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

CPC classification number: C23C16/545 ,  B32B15/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/732 ,  B32B2439/40 ,  B32B2439/60 ,  B32B2553/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1064 ,  Y10T428/1068 ,  Y10T428/1317 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种气体阻隔性层叠膜，其具备基材和在所述基材的至少单侧上所形成的至少1层薄膜层，其中，所述薄膜层中的至少1层满足下述条件中的至少1个条件，满足硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的条件(i)～(iii)，以及电子束透射率曲线具有至少1个极值。本发明的气体阻隔性层叠膜不但具有足够的气体阻隔性，而且在弯曲后可充分抑制气体阻隔性的降低。本发明的气体阻隔性层叠膜非常适用于使用有机电致发光元件(有机EL元件)的柔性照明、有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等。

公开(公告)号：CN103154313A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048181.X

申请日：2011-10-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰 ,  黑田俊也 ,  真田隆

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545

Abstract: 一种形成具有充分的阻气性且具有耐屈曲性的阻气性层叠膜的成膜装置。该成膜装置具有如下：真空室，其在内部收容基材；气体供给装置，其向该真空室内供给成膜气体，该成膜气体包含作为薄膜的原料的有机金属化合物和与该有机金属化合物发生反应的反应气体；一对电极，其配置在上述真空室内；等离子体发生用电源，其向这一对电极外加交流电力，使成膜气体的等离子体发生；控制部，其控制上述气体供给装置或上述等离子体发生用电源的任意一方或两方，切换第一反应条件和第二反应条件，所述第一反应条件是，通过所述有机金属化合物和反应气体反应，使含形成有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成，所述第二反应条件是，通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应，使含形成有机金属化合物的碳和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成。

公开(公告)号：CN101627145B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880007427.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰 ,  服部武司 ,  重里有三

IPC: C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明提供透明导电膜用材料以及透明导电膜。透明导电膜用材料包含复合金属氧化物，所述复合金属氧化物含有Zn、Sn、O以及作为掺杂元素的选自Sc、Bi、Cu、Y、La、Ag和Au中的至少1种。

公开(公告)号：CN101868857A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116357.9

申请日：2008-11-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰 ,  小广健司 ,  福原升

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管。氧化物半导体材料含有Zn、Sn和O，不含有In，且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。电子装置具有包含氧化物半导体材料的半导体层，和设置在上述半导体层上的电极。场效应晶体管具有包含氧化物半导体材料的半导体层、设置在上述半导体层中并相互隔开的源电极和漏电极、和门电极，所述门电极设置在可在位于上述源电极和上述漏电极之间的上述半导体层的区域施加偏置电位的位置。