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公开(公告)号：CN115189799B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211094462.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计及波长自动反馈的宽带波分解复用器，包括：光芯片：依次连接的输入波导和一个逆向设计的波分解复用器；第一波导模块，包括依次连接的第一信道波导、n行m列串联并联微环组(m≥4,n≥2)和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与逆向设计的波分解复用器的一个输出端相连接，每行的微环半径相同，每列微环有n个不同的微环半径；以及同样结构的第二波导模块。电芯片：包括DAC、微处理器和ADC等器件，调节微环器件的谐振波长，时间在ms量级。该系统可用在光模块中的光接收芯片或三端口波分解复用器中，在很小器件尺寸下实现双波段光信号解复用及波长自动调节，解决解复用器对工艺和外界环境变化敏感的问题。
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公开(公告)号：CN115189799A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211094462.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计及波长自动反馈的宽带波分解复用器，包括：光芯片：依次连接的输入波导和一个逆向设计的波分解复用器；第一波导模块，包括依次连接的第一信道波导、n行m列串联并联微环组(m≥4,n≥2)和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与逆向设计的波分解复用器的一个输出端相连接，每行的微环半径相同，每列微环有n个不同的微环半径；以及同样结构的第二波导模块。电芯片：包括DAC、微处理器和ADC等器件，调节微环器件的谐振波长，时间在ms量级。该系统可用在光模块中的光接收芯片或三端口波分解复用器中，在很小器件尺寸下实现双波段光信号解复用及波长自动调节，解决解复用器对工艺和外界环境变化敏感的问题。
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公开(公告)号：CN114779398A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210696520.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的粗波分复用硅光发射芯片，包括：若干依次连接的垂直耦合光栅、多模干涉器和串联推挽型调制器、逆向设计的粗波分复用器和光发射芯片输出端。该芯片可用在光模块中的光发射芯片，在较小器件尺寸下能够对高速电信号调制，解决了器件插入损耗较大、尺寸较大和调制带宽较低等问题。逆向设计的垂直耦合光栅减小耦合损耗且适当的减小尺寸，耦合损耗约‑1.8 dB，耦合区长度仅为10‑15μm；串联推挽调制器有效增大器件的调制带宽，电光带宽可超过35 GHz；逆向设计的粗波分复用器明显减小器件的尺寸，器件尺寸小于15×15μm2,信道间串扰较小，小于‑16 dB。提出的器件具有尺寸小、耦合效率高、电光带宽高和低串扰等优势。
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公开(公告)号：CN114034649A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111226988.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝波导结构的光学生化传感器，其特征在于，包括：上传端和下载端，所述上传端和下载端均为直狭缝波导；第一微环波导，所述第一微环波导设置在所述上传端和下载端之间，所述第一微环波导为环形狭缝波导；及与所述第一微环波导串联的第二微环波导，所述第二微环波导设置在所述第一微环波导的底部与所述下载端之间，所述第二微环波导为环形狭缝波导；其中，所述第一微环波导和第二微环波导的半径不等，所述上传端与所述第一微环波导的顶部之间设置有第一耦合间距，所述第二微环波导的底部与所述下载端之间设置有第二耦合间距，所述第一微环波导的底部与所述第二微环波导的顶部之间设置有第三耦合间距。
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公开(公告)号：CN116500814A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310750843.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116488735A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310393056.7
申请日：2023-04-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于光域均衡的硅光阵列接收芯片及其应用系统，适用于光互连链路的接收端。本发明通过光子集成技术将完成光域均衡功能的光子均衡单元、解波分复用器及光电探测器阵列一体化集成在芯片主体上；基于光子均衡单元的频谱周期性响应对波分复用光信号在光域同时实现频谱调控，实现多通道光信号的一体均衡，光域均衡后的波分复用光信号通过解波分复用器解波分复用后分别送入光电探测器阵列中的各个光电探测器完成光电转换，即可将光域均衡映射到电信号上。本发明利用光域复用均衡技术，对多通道同时均衡，可降低对电域均衡的需求。
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公开(公告)号：CN115426052A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211375014.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种光模块接收端过载保护装置及方法，在光电探测器前增加电光、声光材料制作的可调衰减器；微控制器设置无光输入阈值A，中等强度光输入阈值B，最佳光输入阈值C，接收器损伤光输入阈值D；光模块上电过程中，微控制器和可调衰减器先后加电，设置衰减值最大，探测器随后上电；若接收光功率大于D，认为存在过载风险，关闭探测器供电，且衰减值保持最大；若光功率大于C且小于等于D，则上报告警，且衰减值保持最大；若光功率大于B且小于等于C，则控制衰减值使光功率等于C；若光功率大于A且小于等于B，则衰减值保持最小；若光功率小于等于A，认为无光输入，衰减值保持最大；本发明可有效防止各种使用情况下的探测器过载。
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公开(公告)号：CN115222035A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211146164.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种光子神经网络卷积加速芯片，适用于所有包含卷积运算的深度学习网络。本发明光子神经网络卷积加速芯片由完成卷积加速运算的调制器、耦合器、波分延时加权单元及平衡光电探测器一体化集成。本发明基于波分复用技术将待处理信号分别加载到多个光载波上，通过解波分复用、光幅度控制与延迟波导实现不同载波信号的卷积核系数加权与时间交织，通过平衡光电探测器实现加权后求和运算。本发明利用一对集成波分延时加权单元即可实现任意实数卷积核矩阵系数的构建，结合延时可完成任意信号的卷积加速运算。将光作为信息载体，可实现低功耗、高速率卷积运算。
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公开(公告)号：CN117003197B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN117075265B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311315502.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅结构的硅光啁啾切趾光栅，包括：输入的倒锥形端面耦合器和硅光啁啾切趾光栅。其中，输入的倒锥形端面耦合器由亚波长光栅组成，可通过微调亚波长光栅的占空比和光栅周期，有效地增大输入光耦合效率。该硅光啁啾切趾光栅采用啁啾的方式实现了在厘米长度范围内具有数百皮秒的高时延量；采用波导中间刻蚀孔洞的方式，通过调节孔洞的尺寸，有效地抑制光栅旁瓣，增大了边模抑制比；采用螺旋波导的方式，使其结构紧凑，尺寸较小；在光栅区上方施加热电极的方式，有效地实现了波长的调谐。最终可实现数百皮秒的高时延的具有箱型响应谱线的低损耗片上器件。
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