-
公开(公告)号：CN114594819B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210058815.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路设计制造技术领域，具体涉及可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法，该电路基于单管单电容1T1C型）铁电存储单元，所述单管单电容（1T1C型）铁电存储单元通过一个采样电阻连接有跟踪电路，所述跟踪电路由依次连接的电流采样电路、误差放大器、电压调整器组成，单管单电容1T1C型）铁电存储单元产生翻转电流流经采样电阻，采样电阻产生的两端电位差被电流采样电路采集，再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较，将比较结果反馈给电压调整器，输出操作电压。本发明能检测铁电电容的极化操作电压阈值，从而合理运用操作电压，延长铁电存储器的使用寿命，同时降低系统功耗。
-
公开(公告)号：CN114400032A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210293604.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态加速阻变存储器阻值设置的方法、装置和介质，该方法包括：S1：设置阻变存储器的目标阻值；S2：读取阻变存储器的当前阻值，并记录操作次数；S3：将目标阻值、当前阻值、操作次数作为输入，通过最优解计算算法求出所要施加的操作电压条件，并将此电压施加于阻变存储器；S4：再次读取阻变存储器的阻值，判断是否满足目标阻值的要求；S5：若满足要求，退出，否则重复上述步骤S2至步骤S4，直到满足要求为止。本发明一方面可以提高阻变存储器的操作速率，降低时间复杂度，另一方面可以提高阻变存储器的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114203246A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111396995.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，包括如下步骤：S1，采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；S2，判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰。
-
公开(公告)号：CN117666569A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311564774.2
申请日：2023-11-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 在本说明书提供的一种基于忆阻器的无人车避障方法及装置中，参考模糊控制算法，通过获取无人车前方和两侧到障碍物最近的距离，作为输入变量，并对各输入变量通过忆阻器阵列进行模糊化处理，得到线速度输出矩阵和角速度输出矩阵。将各输入变量通过隶属度函数组，确定隶属度矩阵，并通过代价函数得到模糊推理参数，进而确定权重矩阵，实现了模糊推理。通过线速度输出矩阵、角速度输出矩阵、权重矩阵、预设的线速度参数矩阵及角速度参数矩阵，通过去模糊化处理确定线速度和角速度，用于控制该无人车避障，达到了低功耗、低延时的无人车的精准避障。
-
公开(公告)号：CN117612256A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311598611.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种基于肌电信号的机械手掌控制方法及装置。所述任务执行方法包括：获取第一采集设备采集到的手臂的肌肉群的肌电信号数据，以及获取第二采集设备采集到的手掌背部中肌肉群的肌电信号数据，并根据采集到的肌电信号数据，得到针对各部分肌肉群的热力图。然后将得到的热力图输入到预先训练的意图识别模型中，以得到针对用户使用的机械手掌的目标指令，根据目标指令对机械手掌进行控制，以使机械手掌执行目标手势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117352039A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311427604.X
申请日：2023-10-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种忆阻阵列的测试系统及其测试方法及计算机可读存储介质。该测试系统包括测试仪、控制模块及开关级联模块。测试仪用于为待测的忆阻阵列提供激励源和测量功能，测试仪与控制模块通讯连接。忆阻阵列包括呈矩阵排布的多个存储单元及多个地址管脚，每一个存储单元具有对应的地址管脚，测试仪具有多个资源通道，测试仪的资源通道的数量少于忆阻阵列的地址管脚的数量，测试仪中的至少部分资源通道通过开关级联模块连接到忆阻阵列的多个地址管脚，控制模块用于对开关级联模块进行控制，以将测试仪的至少部分资源通道选通至忆阻阵列中待测存储单元的对应地址管脚。本申请能够实现忆阻阵列自动化和快速测试的需求。
-
公开(公告)号：CN114400032B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210293604.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态加速阻变存储器阻值设置的方法、装置和介质，该方法包括：S1：设置阻变存储器的目标阻值；S2：读取阻变存储器的当前阻值，并记录操作次数；S3：将目标阻值、当前阻值、操作次数作为输入，通过最优解计算算法求出所要施加的操作电压条件，并将此电压施加于阻变存储器；S4：再次读取阻变存储器的阻值，判断是否满足目标阻值的要求；S5：若满足要求，退出，否则重复上述步骤S2至步骤S4，直到满足要求为止。本发明一方面可以提高阻变存储器的操作速率，降低时间复杂度，另一方面可以提高阻变存储器的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114758713A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
-
公开(公告)号：CN114594819A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210058815.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路设计制造技术领域，具体涉及可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法，该电路基于单管单电容（1T1C型）铁电存储单元，所述单管单电容（1T1C型）铁电存储单元通过一个采样电阻连接有跟踪电路，所述跟踪电路由依次连接的电流采样电路、误差放大器、电压调整器组成，单管单电容（1T1C型）铁电存储单元产生翻转电流流经采样电阻，采样电阻产生的两端电位差被电流采样电路采集，再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较，将比较结果反馈给电压调整器，输出操作电压。本发明能检测铁电电容的极化操作电压阈值，从而合理运用操作电压，延长铁电存储器的使用寿命，同时降低系统功耗。
-
公开(公告)号：CN119537307B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510107628.X
申请日：2025-01-23
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种存算一体计算装置和神经网络训练系统，其中，该存算一体计算装置包括：预载模块、混合精度输入模块、输入控制模块以及存算一体阵列模块；预载模块用于对输入数据进行预载处理，并向混合精度输入模块输出待处理数据；混合精度输入模块用于根据预设的精度需求对预载模块输出的待处理数据进行串行输出；输入控制模块用于向存算一体阵列模块输出行选通信号和列选通信号；存算一体阵列模块用于基于输入控制模块输出的行选通信号和列选通信号，对混合精度输入模块所串行输出的数据执行读、写以及计算处理。其能够为不同的神经网络算法提供更多的精度选择，提高了存算一体装置的灵活性和适用性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.025 seconds)
