-
公开(公告)号：CN105261661A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510400688.7
申请日：2015-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L31/03926 , H01L31/02013 , H01L31/0508 , H01L31/0543 , H02S20/32 , H02S30/10 , H02S40/22 , H02S40/34 , H02S40/42 , H05K1/0204 , H05K1/028 , H05K1/0281 , H05K1/142 , H05K1/144 , H05K1/189 , H05K3/301 , H05K2201/046 , H05K2201/049 , H05K2201/09263 , H05K2201/10121 , H05K2201/10143 , Y02E10/52 , H01L31/04
Abstract: 本发明涉及光伏模块、光伏装置和用于生产光伏模块的方法。所述光伏模块包括：挠性印刷电路板和安装在挠性印刷电路板上的多个发电元件。其中，所述挠性印刷电路板包括弯转部，并且所述挠性印刷电路板的位于弯转部的相反两侧上的带状部排列成彼此对向。
-
公开(公告)号：CN104868836A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510087045.1
申请日：2015-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L31/0543 , H01L31/048 , H02S20/32 , Y02E10/52 , H02S40/00
Abstract: 本发明涉及聚光光伏单元、聚光光伏模块、聚光光伏面板和聚光光伏设备。作为光学系统基本单位的聚光光伏单元，包括：聚光部，该聚光部被构造为会聚阳光；电池，该电池被构造为接收由聚光部会聚的光来发电；包括框架部的封装件，该框架部具有绝缘性质并且环绕电池，该封装件处于与电池集成的关系；屏蔽板，该屏蔽板提供在聚光部和电池之间，并且包括允许由聚光部会聚的光有选择地由此通过的开口；以及保护板，该保护板作为在框架部上提供的耐热构件以使电池暴露于光并且屏蔽封装件，该保护板只与框架部接触，并且确保离电池的带电部有预定绝缘距离。
-
公开(公告)号：CN103426966A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310258404.6
申请日：2010-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/109 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可减少暗电流的受光元件，其具备衬底、受光层、扩散浓度分布调整层及窗层，受光层设置在衬底与扩散浓度分布调整层之间，扩散浓度分布调整层设置在受光层与窗层之间，包含窗层及扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，第一区域含有规定的杂质元素且与第二区域邻接，第一区域的导电型为p型，自窗层与扩散浓度分布调整层的接合面在第二区域中朝上述窗层内或扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm-3以上、1×1019cm-3以下的范围内。
-
公开(公告)号：CN102782879A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012717.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L29/15 , H01L31/105 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光接收元件等，其中能够在II型多量子阱（MQW）结构中防止短波长侧的响应度降低，同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于，该光接收元件设置有II型MQW的光接收层（3），具有像素P，并位于衬底1上，该光接收层（3）形成在由III-V族化合物半导体构成的衬底（1）上，MQW结构包括50对以上的两个不同的III-V族化合物半导体层（3a、3b）。在该成对的两个不同的III-V族化合物半导体层中，具有较高的价带势能的层（3a）的厚度比另一个层（3b）的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN102292833A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005491.9
申请日：2010-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/109 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265138A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152617.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01J5/602 , G01J5/0044 , G01J2005/0077 , G01N21/3504 , G01N21/359 , G01N2021/3531 , G01N2201/0833 , G01N2201/0846 , H01L31/035209 , H01L31/1035 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种气体监测装置，所述气体监测装置能够在没有冷却机构的情况下减小暗电流并且能够使用具有的光接收敏感性扩展到不小于1.8μm波长的InP基光电二极管以以高敏感性来监测气体。该气体监测装置的特征在于，该气体监测装置包括光接收层(3)，其具有由III-V族半导体的多量子阱结构；pn结(15)，其通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素来形成，该光接收层中的杂质浓度不大于5×1016/cm3，以及该气体监测装置接收具有不大于3μm的至少一个波长的光以检测气体中所包含的气体成分等。
-
公开(公告)号：CN100438091C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410094689.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , G02B6/0046 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。
-
公开(公告)号：CN100414724C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
-
公开(公告)号：CN1866557A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610009237.1
申请日：2006-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014
Abstract: 根据本发明的发光器件，包括：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；与n型AlxGa1－xN层(3)相比更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，以及光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与第一主表面相对的GaN衬底(1)的主表面。在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成半球形凸部(82)。
-
公开(公告)号：CN110998867B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201880050948.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/054 , H02S20/32 , H02S40/22 , H02S20/10
Abstract: 一种聚光型光伏模块包括：聚光部分，其通过布置聚集太阳光的多个菲涅耳透镜来配置；多个发电元件，其被布置在分别与多个菲涅耳透镜相对应的位置处；多个球透镜，其分别与多个发电元件相对应地设置并且将被多个菲涅耳透镜聚集的太阳光引导到多个发电元件；壳体，其包含多个球透镜和多个发电元件。壳体包括树脂框架体和固定在框架体上的金属底板，并且在其内表面上布置有多个球透镜和多个发电元件。在底板的内表面(15a)上设置有用于减小底板的内表面(15a)侧的热膨胀的凹槽部分(30)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.052 seconds)
