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公开(公告)号:CN104160493B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103493197B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201280018795.8
申请日:2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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公开(公告)号:CN104025291A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280064492.X
申请日:2012-12-21
IPC: H01L23/433
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:多个半导体元件,每个半导体元件具有正面和背面;正面侧散热板,所述正面侧散热板定位在所述半导体元件的正面侧,并对由所述半导体元件产生的热进行散热;背面侧散热板,所述背面侧散热板定位在所述半导体元件的背面侧,并对由所述半导体元件产生的热进行散热;密封材料,所述密封材料覆盖除了所述正面侧散热板的正面和所述背面侧散热板的背面之外的所述半导体装置;底涂剂,所述底涂剂涂覆在所述正面侧散热板和所述背面侧散热板中的至少一者上,并且改善与所述密封构件的接触;凸部,所述凸部在所述多个半导体元件之间定位在所述正面侧散热板的背面和所述背面侧散热板的正面中的至少一者上。
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