公开(公告)号：CN119855321A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411429564.7

申请日：2024-10-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 松井慎一 ,  面家英树 ,  水谷浩一 ,  牧野浩明 ,  大矢昌辉

IPC: H10H20/824 ,  H10H20/841 ,  H10H20/831

Abstract: 提供提高了光输出和寿命的发光元件和发光装置。在使用包含Al的III族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件(1)中，具有：基板(10)；半导体层，其在基板(10)之上依次层叠有n型层(11)、发光层(12)、p型层(14)；孔(23)，其设置于p型层(14)表面的预定区域，且具有到达n型层(11)的深度；p侧电极(15)，其在p型层(14)之上与该p型层(14)接触地设置，且发光波长的紫外光的反射率为50％以上；以及n侧电极(16)，其设置于在孔(23)的底面暴露的n型层(11)之上或上方。孔(23)和n侧电极(16)具有二维排列的多个点的图案，p侧电极(15)的面积为0.75mm2以上。

公开(公告)号：CN119730503A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411134986.1

申请日：2024-08-19

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 牧野浩明 ,  面家英树 ,  松井慎一 ,  水谷浩一

IPC: H10H20/84

Abstract: 提供能够提高光提取效率的面朝上型紫外发光的发光元件和用于发光元件的绝缘性反射防止层。发光元件(1)是面朝上型紫外发光的发光元件，且具备：n型层(21)，其由n型III族氮化物半导体形成；活性层(22)，其设置在n型层(21)之上且由III族氮化物半导体形成；p型层(23)，其设置在活性层(22)之上且由p型III族氮化物半导体形成；p侧电极(50)，其设置在p型层(23)的局部之上；以及绝缘性反射防止层(60)，其设置在p型层(23)的另一处局部之上，且由具有绝缘性的材料形成，且防止发光波长的紫外光的反射。

公开(公告)号：CN107863431A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710763327.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  三木久幸 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/38

Abstract: 一种发光元件，包括：n型半导体层，其主要包括AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)；p型半导体层；发光层，其夹在n型半导体层与p型半导体层之间；n电极，其连接至n型半导体层；以及多个p电极，其连接至p型半导体层并且按照点图案进行布置。n电极的面积不小于基片面积的25％并且不大于基片面积的50％。

公开(公告)号：CN107863430A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710755921.2

申请日：2017-08-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 竹中靖博 ,  斋藤义树 ,  松井慎一 ,  篠田大辅 ,  程田高史 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。

公开(公告)号：CN308749296S

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202330502183.7

申请日：2023-08-08

Applicant: 丰田合成株式会社

Designer： 松井慎一 ,  面家英树 ,  牧野浩明 ,  水谷浩一

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：发光二极管的罩。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计的整体产品用作发光二极管；请求局部外观保护的部分用作发光二极管的罩。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
5.其他需要说明的情形其他说明：本申请为局部外观设计，由实线表示的部分为请求权利保护的部分，由虚线表示的部分为不要求权利保护的部分，点划线表示请求保护的局部外观设计部分与其他部分的分界线。