公开(公告)号：CN1436375A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN01810990.X

申请日：2001-07-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  千田昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  Y10S257/918

Abstract: 一个钛层和一个氮化钛层相继地形成在一个基底上，而且一个III族氮化合物半导体层形成在其上。当使氮化钛层具有一个足够薄的薄膜厚度的情况下，去除钛层时，获得一个拥有氮化钛层的器件。

公开(公告)号：CN1200466C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN01810990.X

申请日：2001-07-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  千田昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  Y10S257/918

Abstract: 一个钛层和一个氮化钛层相继地形成在一个基底上，而且一个III族氮化合物半导体层形成在其上。当使氮化钛层具有一个足够薄的薄膜厚度的情况下，去除钛层时，获得一个拥有氮化钛层的器件。

公开(公告)号：CN1425189A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN01808301.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  柴田直树 ,  浅见静代

IPC: H01L21/203 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062

Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。

公开(公告)号：CN1290958A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00107888.7

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米,并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中,在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层,其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1270420A

公开(公告)日：2000-10-18

申请号：CN00102851.0

申请日：2000-03-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  浅见静代 ,  渡边大志 ,  千田昌伸 ,  浅见慎也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007

Abstract: 一第一Ⅲ族类氮化物层,其是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在基片上,是在包含氢或氮气与氨气的混合气体气氛中被加热,以使形成在第一Ⅲ族类氮化物层上的第二Ⅲ族类氮化物半导体层的结晶度得到改善。当第一Ⅲ族类氮化物层通过溅射方法被形成在基片上时,第一Ⅲ族类氮化物层的厚度被设置为从50埃到3000埃的范围内。