-
公开(公告)号：CN105990121A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510053246.X
申请日：2015-02-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/285
Abstract: 一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。
-
公开(公告)号：CN105990093A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054912.1
申请日：2015-02-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的侧壁结构；在位于PMOS区的侧壁结构之间的半导体衬底中形成凹槽；实施第一预清洗处理，以去除残留于所述凹槽的含碳杂质；实施第二预清洗处理，以去除残留于所述凹槽的其余杂质；外延生长嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽。根据本发明，可以进一步提升所述凹槽的侧壁和底部的清洁度，以满足后续外延高质量锗硅的要求。
-
公开(公告)号：CN102418149B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201010299350.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种低温快速热处理的温度监控方法，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有非晶区；对所述半导体衬底进行离子激活处理；对所述半导体衬底进行低温快速热处理；检测所述半导体衬底表面的衬底参数；基于衬底参数与反应温度的对应关系，确定所述低温快速热处理的实际反应温度。本发明基于半导体衬底中掺杂离子的失活效应来监测低温快速热处理的反应温度，提高了在低温快速热处理温度范围内所述监测的准确性。
-
公开(公告)号：CN103840077B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210492209.5
申请日：2012-11-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出相变存储器的两种制作方法以改善其相变材料剥落现象。第一种方案：在相变材料与包埋下电极的介电层之间设置TiON粘合层，利用该TiON粘合层增强介电层与相变材料之间的结合程度，因而实现了防止相变材料脱落，提高了相变存储器的可靠性。第二种方案：形成侧墙状的粘合层以增强相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时利用了该侧墙底部的尺寸大于顶部的尺寸，使得供相变材料沉积的空间的底部尺寸小于顶部尺寸，减小了相变材料与下电极的接触面积，换言之，该侧墙状的粘合层不但增加了相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时，降低了相变材料与下电极的接触面积，降低了操作电流。
-
公开(公告)号：CN102938377B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110233495.9
申请日：2011-08-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，一种PMOS晶体管及其形成方法。本发明所提供的PMOS晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成硅外延层；形成所述硅外延层后，在所述第一凹槽内形成硅锗层，所述硅锗层低于所述半导体衬底或者与所述半导体衬底齐平；进行退火处理，激活所述硅锗层内的掺杂离子形成源、漏极。通过本发明可以提高硅锗层的应力性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931058B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110226347.4
申请日：2011-08-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体结构形成方法，以及一种PMOS晶体管形成方法，本发明所提供的PMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗种子层；形成所述硅锗种子层后，将锗源气体和选择性气体的流量同步逐渐增加，直至形成第一硅锗渐变层；在所述第一硅锗渐变层表面形成硅锗体层，且所述硅锗体层表面低于半导体衬底表面，或者与所述半导体衬底表面齐平，并在栅极结构两侧的硅锗体层内分别形成源、漏极。利用本发明可以提高PMOS晶体管的性能。
-
公开(公告)号：CN104576391A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492816.6
申请日：2013-10-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/02694 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供一种PMOS器件及其制备方法，所述制备方法至少包括：在半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽内壁上依次外延生长第一种子层和SiGe种子层，所述SiGe种子层中掺杂有硼；将获得的结构进行退火处理，使SiGe种子层的硼扩散进入第一种子层，在第一种子层和SiGe种子层中形成均匀的硼掺杂；生长SiGe填充层，直至所述SiGe填充层填充满所述沟槽形成PMOS器件的源区或漏区，所述SiGe填充层中掺杂有硼。本发明通过退火工艺将SiGe种子层中的受主掺杂离子扩散进入第一种子层中，使受主掺杂离子在SiGe种子层和第一种子层中分布均匀，避免了掺杂离子在Si与SiGe界面处聚集，降低源漏区的电阻，有利于提高空穴迁移率。
-
公开(公告)号：CN103779496A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210413488.1
申请日：2012-10-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储单元的制作方法，包括在对所述相变材料层进行低温退火处理的过程中，在温度为20℃～174℃环境中通入含氧气体，并利用微波或紫外线照射所述相变材料层。本发明所述相变存储单元的制作方法通过在对所述相变材料层进行退火的工艺中，采用低温退火方式，并配合微波或紫外线，不仅不会导致相变材料层特性的改变，避免相变材料层的扯皮问题的发生，而且能够使相变材料层较好地部分氧化或全部氧化，由于氧化后的相变材料层具有更好的粘附性能，能够与金属层更好地接触，提高相变材料层与金属层的粘合能力，进而提高相变存储单元的性能。
-
公开(公告)号：CN102938377A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201110233495.9
申请日：2011-08-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，一种PMOS晶体管及其形成方法。本发明所提供的PMOS晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成硅外延层；形成所述硅外延层后，在所述第一凹槽内形成硅锗层，所述硅锗层低于所述半导体衬底或者与所述半导体衬底齐平；进行退火处理，激活所述硅锗层内的掺杂离子形成源、漏极。通过本发明可以提高硅锗层的应力性能。
-
公开(公告)号：CN110391299B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201810366488.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极；在所述栅极侧壁上形成阻挡层；对所述阻挡层进行掺杂处理，所述掺杂处理采用的掺杂离子为刻蚀抑制离子；对所述阻挡层进行掺杂处理后，刻蚀所述栅极两侧的所述基底，在所述基底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层。本发明能够改善所述阻挡层对于所述栅极侧壁的保护效果，防止栅极侧壁表面受到损伤或污染，从而改善半导体结构的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
73
records
(took 0.087 seconds)
