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公开(公告)号：CN110596988B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201911007085.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种片上高品质因子硫系微环谐振腔的制备方法，属于片上微纳光电子器件制备技术领域。包括：在硫系薄膜表面旋涂电子束胶、电子束选择性曝光电子束胶、退火炉回流、反应离子刻蚀、在波导结构上旋涂热固性聚合物及退火炉退火等步骤。本发明公布的制备方法解决了国际上高非线性光子器件品质因子低，性能差的问题，适用于在硫系薄膜上制备高品质、高非线性的环形谐振腔，Q提高2个数量级以上，显著提高其在片上光电子器件应用领域的应用性能，并且可以大批量制备，适用于大型光子集成。
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公开(公告)号：CN111273396A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010174284.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种可实现前向布里渊散射的硫化物-氮化硅悬空波导设计及其制备方法。硫化物-氮化硅悬空波导，自下而上依次是硅衬底、氧化硅层、氮化硅薄膜层、硫化物薄膜层；其中波导下面的氧化硅层部分腐蚀，呈现悬空结构。本发明提出了一种可实现前向布里渊散射的硫化物-氮化硅悬空波导结构，氮化硅结构的引入起到了支撑硫系薄膜的作用，克服了硫化物质软，难以实现悬空的难点，同时氮化硅与硫化物相比，折射率较小，声学声速性质相差较大，有利于实现对光场和横向声场的同时局限，仿真得到的前向布里渊增益系数为1415m-1W-1，证明了该结构可以用来实现前向受激布里渊散射以及光机械等应用的可能性。
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公开(公告)号：CN112526673B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011252467.7
申请日：2020-11-11
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉一种高功率孤子频梳芯片及其脉冲发生系统及方法。孤子频梳芯片包括衬底、微环谐振腔和直波导；直波导从一端至另一端依次包括多模波导、多模单模过渡锥波导、单模波导以及单模slot波导，多模单模过渡锥的宽端与多模波导连接，多模单模过渡锥的窄端与单模波导的一端连接，单模波导的另一端通过线性strip‑to‑slot模式变换器与单模lot波导耦合连接；微环谐振腔位于多模波导的一侧，与多模波导耦合连接。本发明结合了激光相干测距的思路，利用频梳微腔结构集成于微纳波导上，同时对产生得到的孤子频梳，再进行片上光放大实现信号增益放大，实现了测距发射端光学系统的新型集成设计，有效提高了测量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112444817B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011252458.8
申请日：2020-11-11
Applicant: 中山大学
IPC: G01S17/02 , G01S17/894
Abstract: 本发明涉及一种主被动探测结合的远红外激光雷达装置及测量方法。激光器的输出端口与电光调制器的光源输入端口连接，任意函数发生器的波形输出端口与电光调制器的微波信号输入端口连接，电光调制器的信号输出端口与硫系芯片的输入端口连接，硫系芯片的输出端口与分束器连接，分束器的主光束输出端与光放大器的输入端连接，光放大器的输出端与微光学衍射元件连接；分光束的本振光束的输出端与本振延迟器连接；本振延迟器的输出端、以及光电探测器的输出端均与相干接收机的输入端连接，相干接收机的输出端与控制计算机连接，控制计算机与图像处理装置连接。本发明在识别算法复杂度、系统结构复杂度等多个方面，得到了有效提升。
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公开(公告)号：CN118426240A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410467041.5
申请日：2024-04-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本申请公开了一种复合波导结构的光波导放大器芯片及其制备方法，所述放大器芯片从下至上依次包括：硅衬底层、氧化硅层、下无源波导层、稀土掺杂增益薄膜层、上无源波导层、波导上包层；其中，所述稀土掺杂增益薄膜层包覆在所述下无源波导层之上，所述上无源波导层包覆于所述稀土掺杂增益薄膜层表面，被所述波导上包层完全包覆。通过本申请设计的波导放大器芯片特定的结构设计和材料选择，能够有效实现对信号光的放大，且在同等波导尺寸、波导长度的条件下，能够获得比常见结构的光波导放大器更大的增益，大幅提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN118112861A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410315217.5
申请日：2024-03-19
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种用于低差模增益少模光放大器的增益介质及其制备方法和应用，涉及光通信技术领域。所述增益介质中自下而上依次包括硅衬底、氧化硅层、无源传输波导层、稀土掺杂增益层、波导上包层；所述稀土掺杂增益层中稀土掺杂浓度呈自下而上逐渐递增。本发明能够提高模式增益，同时通过调控掺杂浓度与光场分布的匹配模式，达到减小模式之间的增益差值的效果。在各模式的模式增益均大于17dB，且各个模式之间的差模增益被高效的控制在了2dB以内。
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公开(公告)号：CN116107131A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310121322.0
申请日：2023-02-13
Applicant: 中山大学
Abstract: 本申请实施例提供一种增益基底型光波导放大器的制备方法及光波导放大器，涉及光放大器技术领域。该方法包括：在预设基片的上表面进行稀土掺杂增益介质的沉积，获得稀土掺杂增益薄膜层，所述预设基片自下而上依次层叠硅衬底层、氧化硅层；对已沉积的所述稀土掺杂增益薄膜层进行热退火处理；在已退火的所述稀土掺杂增益薄膜层的上表面沉积无源材料，获得无源材料薄膜；对所述无源材料薄膜进行波导结构刻蚀，获得用于光场传输的无源传输波导层；在所述无源传输波导层的上表面沉积包层并进行抛光处理，获得增益基底型光波导放大器。该方法可以实现高效稀土掺杂以及传输波导的多样选择，提高片上器件适配性的技术效果。
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公开(公告)号：CN113257687A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110513623.9
申请日：2021-05-11
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体的微纳结构包层覆盖方法，包括如下步骤：步骤一：在微纳结构上涂覆一层光刻胶；步骤二：对光刻胶进行曝光。且本发明的光刻胶采用无机光刻胶的HSQ光刻胶。通过在微纳结构上涂覆一层光刻胶并进行曝光后，形成包层，由于光刻胶用作抗腐蚀涂层材料，因此，对微纳结构具有保护作用，且光刻胶是一类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，由于具备比较小的表面张力的特性，使得光刻胶具有良好的流动性和均匀性，可均匀涂覆在微纳结构表面，在经过曝光固化后，可使形成的包层表面平整。
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