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公开(公告)号：CN118591275A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410840755.6
申请日：2024-06-27
Abstract: 本发明公开了一种ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，所述ZnO薄膜忆阻器的结构包括由下至上依次设置的底电极、功能层和顶电极层；所述底电极为NSTO衬底，所述功能层为ZnO薄膜，所述顶电极层为Au电极层。本发明的ZnO薄膜忆阻器性能优异，在‑0.5V的读取电压下能够保持7个数量级以上的超大开关比，器件稳定性高，在多级存储方面有较高应用潜力。
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公开(公告)号：CN114634895A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210361268.2
申请日：2022-04-07
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于微生物控藻技术领域，具体涉及一株具有溶藻作用的蜡样芽孢杆菌B1‑XL001及其应用，本发明公开的蜡样芽孢杆菌(Bacilluscereus)B1‑XL001菌株生长速度快，对藻类具有很强的趋化性，能够附着到藻细胞外部，且其分泌物能够破坏藻细胞的细胞壁、细胞膜和类囊体等结构，抑制藻类光合作用，造成藻类不可逆的损伤，使其死亡，且稳定性好，具有广范围的温度稳定性(‑20℃‑100℃)，能够耐强酸，并且菌液反复冻融不会影响溶藻效果，不会有藻华复发的风险，可制备成溶藻菌剂用于控制有害藻华，具有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113848607A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111199976.2
申请日：2021-10-14
Abstract: 本发明涉及一种基于分层掺杂的轨道角动量模式增益平坦环芯光纤，包括从内至外依次包裹的内芯层、环芯层和包层；所述环芯层掺杂铒离子，所述环芯层分为至少两层且每层铒离子的掺杂浓度均不一致。环芯层具有至少两层不同浓度的掺杂铒离子区域，通过调整环芯层和铒离子掺杂浓度，可以使得该阶跃环芯掺铒光纤在光纤通信C波段下对更多阶数的OAM模式同时放大过程中进行均衡增益。同时，圆环形的环芯层具有不同浓度的铒离子层，进一步使得模式模场分布集中，这样不仅会提高被放大的模式和更高效率的利用激发铒离子，使得各阶模式增益趋于一致。
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公开(公告)号：CN110727052A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911008162.9
申请日：2019-10-22
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及片上波导的微纳加工领域，特别是一种低损耗红外高非线性光波导制备方法。包括以下步骤：S1.分析硫系光波导在红外波段光波的传输特性；S2.分析电子束曝光各个参数及电子束胶种类对硫系波导制备的影响，选择合适的曝光参数及电子束胶种类进行掩膜版制备，并通过等离子体反应刻蚀，实现波导的制备；S3.其次，通过旋涂法实现聚合物包层的生长；S4.最终，结合包层热退火工艺重新对波导侧壁进行光滑化，并通过截断法进行损耗测试。本发明通过优化电子束曝光及调整等离子体反应的刻蚀参数，并结合热退火工艺，实现一种超低损耗的片上硫系波导制备，适合大规模的高非线性光子集成器件制备。
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公开(公告)号：CN102969485B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210438004.9
申请日：2012-11-06
Applicant: 中山大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/137 , H01M4/13 , H01M4/1399 , H01M4/139
Abstract: 本发明公开了一种用于锂电池中含富硫聚合物正极极片及其制备方法。该含富硫聚合物正极极片包括正极活性物质（富硫聚合物和硫单质）、导电剂、粘结剂。本发明采用这种含富硫聚合物正极极片组装的CR2025型纽扣电池500次循环以后，放电比容量保持率近90%，库伦效率达到94.5%。此种正极极片在锂硫电池中的应用前景十分广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969485A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210438004.9
申请日：2012-11-06
Applicant: 中山大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/137 , H01M4/13 , H01M4/1399 , H01M4/139
Abstract: 本发明公开了一种用于锂电池中含富硫聚合物正极极片及其制备方法。该含富硫聚合物正极极片包括正极活性物质（富硫聚合物和硫单质）、导电剂、粘结剂。本发明采用这种含富硫聚合物正极极片组装的CR2025型纽扣电池500次循环以后，放电比容量保持率近90%，库伦效率达到94.5%。此种正极极片在锂硫电池中的应用前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN117806098A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410142488.5
申请日：2024-02-01
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及量子光学技术领域，具体公开一种中红外高纯度纠缠光子源，包括上耦合波导、下耦合波导和基于光子晶体微环的谐振器；所述光子晶体微环用于模间OPO的色散匹配和光增强；所述下耦合波导用于只耦合泵浦光，所述上耦合波导用于只耦合信号光和闲频光；所述上耦合波导和下耦合波导配置为只耦合不同模式的光，以使信号光和闲频光只从所述上耦合波导输出，且泵浦光无法从所述上耦合波导耦合；该中红外高纯度纠缠光子源由于泵浦光和信号、闲频光耦合到不同波导，因此可以单独调控泵浦光和信号、闲频光的耦合，相比于传统的单波导耦合而言，提高了生成效率和提取效率，解决了在中红外波段实现难以及泵浦光与纠缠光子无法单独调控耦合的问题。
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公开(公告)号：CN113848607B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202111199976.2
申请日：2021-10-14
Abstract: 本发明涉及一种基于分层掺杂的轨道角动量模式增益平坦环芯光纤，包括从内至外依次包裹的内芯层、环芯层和包层；所述环芯层掺杂铒离子，所述环芯层分为至少两层且每层铒离子的掺杂浓度均不一致。环芯层具有至少两层不同浓度的掺杂铒离子区域，通过调整环芯层和铒离子掺杂浓度，可以使得该阶跃环芯掺铒光纤在光纤通信C波段下对更多阶数的OAM模式同时放大过程中进行均衡增益。同时，圆环形的环芯层具有不同浓度的铒离子层，进一步使得模式模场分布集中，这样不仅会提高被放大的模式和更高效率的利用激发铒离子，使得各阶模式增益趋于一致。
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公开(公告)号：CN110336609B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910473181.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种多跨段光纤传输系统优化方法，包括以下步骤：对多跨段的光纤传输系统中的光纤和放大器进行抽象分析，提取影响系统性能的因素并建模；对已建立的数学模型在设定的条件下根据不同的方法进行推导计算得到表征光纤传输系统性能的表达式；从光纤传输系统性能的表达式中提取待优化量，利用遗传算法对待优化量进行优化，利用优化后的参数对光纤传输系统进行设置，提升光纤传输系统的性能。本发明通过对多跨段的光纤传输系统抽象分析提取影响因素进行多因素建模提高了模型对传输系统表达的准确性；通过对数学模型进行推导得到系统传输性表达式，利用遗传算法对参数进行优化，比传统的优化算法提高了优化精度，提高了系统的传输性能。
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公开(公告)号：CN112323038A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011265833.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种用于硫系薄膜原位光退火的装置及方法，该装置包括真空腔室、转轴、驱动马达、旋转臂和光源组件，所述真空腔室内底部设有蒸发源，所述真空腔室内顶部设有用于固定衬底的基台，所述转轴设于真空腔室内的侧壁上，所述驱动马达设于转轴的内部，所述旋转臂一端与转轴连接，所述旋转臂的另一端与光源组件连接，所述光源组件设于旋转臂的末端。该方法包括：制备硫系薄膜；使光源组件与基底平行；通过LED阵列对硫系薄膜进行连续光照。通过使用本发明，解决了硫系薄膜在异位退火时易被空气氧化和污染以及热退火使薄膜在后续加工中破裂的问题。本发明作为一种用于硫系薄膜原位光退火的装置及方法，可广泛应用于真空蒸镀领域及光退火领域。
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