公开(公告)号：CN107533971A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680027447.5

申请日：2016-06-22

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 八尾章史 ,  山内邦裕 ,  藤原昌生 ,  宫崎达夫

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/10

Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素。

公开(公告)号：CN106409656A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610599442.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 林军 ,  竹谷考司 ,  立花光博 ,  八尾章史 ,  山内邦裕 ,  宫崎达夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β-二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β-二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN103958464B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280059223.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 宫崎达夫 ,  川本博美 ,  小野浩

IPC: C07C303/00 ,  C07C309/06

CPC classification number: C07C303/00 ,  C07C309/00

Abstract: 本发明涉及氟代链烷烃磺酸酐的制造方法，其特征在于，公开了：使用每100L实际容量的最大的动力为1.0kW以上的、具备至少双轴以上的叶片的混合型反应器，边在40℃以上且不足100℃下使氟代链烷烃磺酸和五氧化二磷混炼边反应，且排出生成的氟代烷基磺酸酐，边在100℃以上且不足140℃的温度下使排出后的该反应器内残渣混炼边排出未反应的氟代烷基磺酸、进行回收，作为原料而重复利用。该方法中，以高收率得到氟代链烷烃磺酸酐。

公开(公告)号：CN102803568A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013041.9

申请日：2011-02-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 宫崎达夫 ,  八尾章史 ,  北拓也

IPC: C25B9/00 ,  B01D53/04 ,  C25B1/24

CPC classification number: C25B1/245 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0446 ,  B01D53/685 ,  B01D2256/26 ,  B01D2257/2047 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。能够防止将氟化氢吸附去除的精制装置的阻塞，稳定地供给高纯度的氟气。氟气生成装置的特征在于，具有利用吸附剂将由电解槽（1）的熔融盐汽化而混入自阳极（7）生成的氟气中的氟化氢吸附去除的精制装置（20），精制装置（20）包括：筒状构件，其供在电解槽（1）中产生的含有氟气的主产生气体通过；温度调节器，其调节上述筒状构件的温度；吸附剂保持件，其设在上述筒状构件内，上述吸附剂保持件设置为在上述筒状构件内形成用于确保上述主产生气体的流路的空隙。

公开(公告)号：CN102369591A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014661.X

申请日：2010-02-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  八尾章史 ,  宫崎达夫 ,  中原启太

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C01B7/20

CPC classification number: C01B7/20 ,  B01F3/028 ,  B01F15/0408 ,  G05D11/132

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以稳定、大量且具有精确的浓度的状态将由氟气产生装置产生的氟气供给到半导体处理装置的氟气的当场气体混合及稀释系统。该氟气的供给系统具有下述结构，即，将储存在缓冲罐内的混合气体导入到在进行缓冲罐内调整混合气体前的导入气体的气体导入配管，使混合气体循环，此外，设有用于测量混合气体中的氟浓度的监视装置，能够根据获得的氟浓度而调整非活性气体供给源的流量。

公开(公告)号：CN116710597A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009029.9

申请日：2022-01-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 谷口敬寿 ,  林志坚 ,  宫崎达夫

IPC: C23F1/18

Abstract: 本公开的湿式蚀刻溶液，其为针对由钨系材料制成的第一金属层与由钴和/或铜系材料制成的第二金属层共存、且至少钴和/或铜系材料的表层形成有氧化物层的半导体基板，一面抑制上述第一金属层的蚀刻一面选择性地去除上述第二金属层的蚀刻溶液。上述蚀刻溶液包含使键合有三氟甲基与羰基的β‑二酮溶解于有机溶剂中而获得的溶液。

公开(公告)号：CN113272471A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202080008453.2

申请日：2020-01-07

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 新免益隆 ,  冈田卓也 ,  山本纯基 ,  滩野亮 ,  宫崎达夫

IPC: C23C16/04 ,  C23C28/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/312

Abstract: 本公开的实施方式的选择性膜沉积方法的特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，使通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于第一表面区域而非第二表面区域。(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。)

公开(公告)号：CN103732576B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280037997.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 入江龙也 ,  矶山宪次 ,  宫崎达夫 ,  柏叶崇 ,  南明勉

IPC: C07C303/22 ,  C07C309/06

CPC classification number: C07C303/02 ,  C07C303/22 ,  C07C303/44 ,  C07C309/06

Abstract: 本发明公开了氟代烷磺酸的制备方法，其包括：工序（1），使浓硫酸和/或发烟硫酸与氟代烷磺酸盐反应，进行酸解，获得包含氟代烷磺酸和硫成分的反应混合物；工序（2），在上述工序获得的反应混合物中添加氧化剂，接着通过蒸馏从该反应混合物中获得氟代烷磺酸。采用该方法，可有效减低硫成分，工业上有利地获得高纯度的氟代烷磺酸。

公开(公告)号：CN102257181B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201080003667.7

申请日：2010-01-15

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 毛利勇 ,  八尾章史 ,  田仲健二 ,  宫崎达夫

IPC: C25B1/24 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  C25B9/00 ,  C25B15/08 ,  F23G7/06 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06

CPC classification number: H01M8/0656 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  B01D2251/306 ,  B01D2251/604 ,  B01D2257/2047 ,  B01D2258/0216 ,  C25B1/02 ,  C25B1/245 ,  F23G7/065 ,  Y02E20/12 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。

公开(公告)号：CN102803566A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028604.7

申请日：2010-05-12

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 宫崎达夫 ,  毛利勇

IPC: C25B1/24 ,  C01B7/20 ,  C25B9/00 ,  C25B15/08

CPC classification number: C25B1/245 ,  C01B7/195 ,  C01B7/20 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。其特征在于，该氟气生成装置具有用于在由含有氟化氢的熔融盐构成的电解液中电解氟化氢的电解槽，通过利用与电解槽上部的配管相连接的回流装置使伴随着气体的产生的熔融盐的雾沫和从熔融盐气化得到的氟化氢气体液化回流，使氟化氢及熔融盐的雾沫返回电解槽中。