公开(公告)号：CN101207163A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610165537.9

申请日：2006-12-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓杰 ,  马文全 ,  种明 ,  苏艳梅 ,  陈良惠

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。

公开(公告)号：CN116659671A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210159385.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴静 ,  陈涌海 ,  曾晓琳 ,  赵成城 ,  黄建亮 ,  张艳华 ,  马文全

IPC: G01J4/04

Abstract: 本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，确定该平均值等于零时该探测器所需施加的目标外加偏压；给该探测器施加该目标外加偏压，利用施加该目标外加偏压后的探测器探测圆偏振光。本申请还公开了一种圆偏振光探测装置、电子设备及存储介质。

公开(公告)号：CN110311000B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910648930.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵成城 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。

公开(公告)号：CN103233271B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310135986.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭晓璐 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: C30B29/68 ,  C30B19/00 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。

公开(公告)号：CN103219291B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310157698.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。

公开(公告)号：CN103233271A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310135986.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭晓璐 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: C30B29/68 ,  C30B19/00 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。

公开(公告)号：CN103225109A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310157823.0

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种II型III-V族量子点材料的生长方法，包括：在衬底上生长缓冲层；降温到量子点的生长温度，向生长有缓冲层的衬底喷射第一种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第一种V族元素；将喷射的元素切换为第二种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第二种V族元素；淀积II型III-V族量子点材料；向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素，使生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底周围充满该第二种V族元素；降温到中间温度，同时向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素；关闭喷射第二种V族元素，降温到室温。利用本发明，有效控制了V族元素之间的互混反应，提高了量子点形貌和光学质量。

公开(公告)号：CN101866933B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910081985.4

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN101866932A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081984.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN114649432A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210298475.8

申请日：2022-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张艳华 ,  马文全 ,  黄建亮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层；其中，反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层，每一周期内叠设的InAs层GaSb层厚度需满足使得InAs层的电子能级低于GaSb层的空穴能级；且InAs层的电子能级和GaSb层的空穴能级之间交叠而发生耦合，在能级交叠处产生一个杂化带隙。反转型InAs/GaSb超晶格吸收层对太赫兹波段的电磁波吸收效率高，通过在太赫兹光电探测器中布置反转型InAs/GaSb超晶格吸收层，提高探测器对太赫兹波的探测性能。本公开还提供一种反转型太赫兹光电探测器的制备方法。