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公开(公告)号：CN113471313B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110754203.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，单行载流子探测器，包括：公共N接触层(3)；纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，因而同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3‑dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
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公开(公告)号：CN106711252A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611060442.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03529 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种包含缓冲层的外延结构，包括衬底、基本缓冲层、阶梯渐变缓冲叠层和渐变缓冲层，该结构是通过在阶梯渐变缓冲叠层之间生长线性渐变缓冲层来实现降低异变材料表面粗糙度，增加异变材料结晶质量的目的，线性渐变层的厚度控制在50nm以内。由于在阶梯渐变缓冲叠层之间生长了线性渐变缓冲层，无需在生长过程中对源进行中断，从而使生长更易于操控，成本低，有利于生产。本发明还提供了一种包含缓冲层的外延结构生长的方法。
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公开(公告)号：CN103278942B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310207968.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供了一种可调谐有源滤波器。该可调谐有源滤波器包括：光偏振输入控制单元，用于将输入光转化沿K方向入射的TM模式的偏振光；磁性滤波器本体，位于光偏振输入控制单元的光路后端，由磁性材料和电介质材料制备，为具有缺陷的，沿K方向延伸的周期性布拉格结构，用于利用周期性布拉格结构中缺陷产生的透射峰对由光偏振输入控制单元入射的偏振光进行滤波；以及磁场加载单元，用于产生垂直于K方向和入射偏振光电场方向的磁场，以对布拉格结构中缺陷产生透射峰的位置进行调制。本发明可调谐有源滤波器易于制作，响应时间较短，调谐过程灵活，并且调谐精度更高。
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公开(公告)号：CN101867148B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910081992.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器，该激光器包括：带有有源区的FP腔结构、位于该FP腔结构高反射端的反射面，以及位于该FP腔结构出射端的反射面。该激光器具有超短的带有有源区的FP腔结构，该FP腔两端的反射面分别由两片光子晶体区域组成，一片区域为宽禁带光子晶体，另一片区域为形成带边模式的光子晶体。利用本发明，能够实现超短长度的电注入FP腔激光器，并使其在垂直方向出射激光。
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公开(公告)号：CN101865729B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200910081995.8
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866933B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910081985.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/8252
Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
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公开(公告)号：CN101741008B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810226286.X
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光纤，靠近激光器一面的光纤棒和光纤端面均蒸镀增透膜，光纤的出光端面固定在陶瓷插针上；将黄色荧光粉与胶体按照一定比例混合均匀，将混合后的荧光粉和胶体固化在透明薄片上形成荧光粉片；从透明薄片上取下该荧光粉片，并将荧光粉片切成一定的形状，放入石英容器中。利用本发明，解决了如何将微小化的荧光粉片放在光纤端面附近，使其能被光纤出射的激光有效地激发。
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公开(公告)号：CN101881786A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010191175.7
申请日：2010-05-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于微小孔激光器的扫描近场光学显微镜系统，包括：一近场激发样品台，该近场激发样品台包括一悬臂，该近场激发样品台用于放置样品；一半导体微小孔激光器，该半导体微小孔激光器安装于近场激发样品台的悬臂上；一探测器，该探测器位于样品台的下方，与半导体微小孔激光器相对；一信号处理器，该信号处理器的输入端与探测器的输出端连接，用于收集处理探测器的数据；一Z轴控制装置，该Z轴控制装置通过信号处理器控制近场激发样品台的Z轴移动，以便控制半导体微小孔激光器与近场激发样品台的距离；一X-Y扫描装置，该X-Y扫描装置通过信号处理器控制半导体微小孔激光器对近场激发样品台上的样品进行扫描。
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公开(公告)号：CN101866932A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910081984.X
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L21/8252
Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
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公开(公告)号：CN101741008A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226286.X
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光纤，靠近激光器一面的光纤棒和光纤端面均蒸镀增透膜，光纤的出光端面固定在陶瓷插针上；将黄色荧光粉与胶体按照一定比例混合均匀，将混合后的荧光粉和胶体固化在透明薄片上形成荧光粉片；从透明薄片上取下该荧光粉片，并将荧光粉片切成一定的形状，放入石英容器中。利用本发明，解决了如何将微小化的荧光粉片放在光纤端面附近，使其能被光纤出射的激光有效地激发。
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